hth体育官网登录可控矽一站式解決方案提供商專注华体会竞猜app,华体会体育沃尔夫斯堡,hth棋牌软件,高壓可控矽,達林頓芯片等半導體器件的應用服務。
當前位置: 首頁 » 產品中心 » 宇芯微產品 » MOS管 » 中低壓MOS管 » 貼片國產PMOS 20P02 TO-252

產品分類

Product Categories
貼片國產PMOS 20P02 TO-252
貼片國產PMOS 20P02 TO-252
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:20P02
產品封裝:TO-252
產品標題:MOS管20P02 貼片國產PMOS 20P02 TO-252 -20V/-20A 電池保護MOSFET
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


MOS管20P02 貼片國產(chan) PMOS 20P02 TO-252 -20V/-20A 電池保護MOSFET



貼片國產(chan) PMOS 20P02的管腳圖:

blob.png  blob.png



貼片國產(chan) PMOS 20P02的應用:

  • 電池保護

  • 負載開關(guan)

  • 不間斷電源



貼片國產(chan) PMOS 20P02的特點:

  • VDS=-20V

  • ID=-20A

  • RDS(ON)<18mΩ@VGS=-4.5V

  • 封裝:TO-252



貼片國產(chan) PMOS 20P02的極限參數:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數數值單位
VDS漏極-源極電壓-20V
VGS柵極-源極電壓±12
ID漏極電流-連續 TC=25℃-20A
漏極電流-連續 TC=70℃-12
IDM漏極電流-脈衝-60
PD總耗散功率 TC=25℃39W
總耗散功率 TC=70℃20
RθJA結到環境的熱阻65℃/W
RθJC結到管殼的熱阻3.2
TSTG
存儲溫度-55~150
TJ工作結溫-55~150



貼片國產(chan) PMOS 20P02的電特性:

(如無特殊說明,TA=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓-20

V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=-4.5V,ID=-5A


1518

靜態漏源導通電阻

VGS=-2.5V,ID=-3A


1725
VGS(th)
柵極開啟電壓-0.4-0.7-1V
IDSS

零柵壓漏極電流

VDS=-20V,VGS=0V



-1μA
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
35
nC
Qgs柵源電荷密度
5
Qgd柵漏電荷密度
10
Ciss輸入電容
2700
pF
Coss輸出電容
680
Crss反向傳輸電容
590
td(on)開啟延遲時間
11
ns
tr開啟上升時間
35
td(off)關斷延遲時間
30
tf
開啟下降時間
10



貼片國產(chan) PMOS 20P02的封裝外形尺寸圖:

blob.png


產品推薦

Product recommendations
*本站相關網頁素材及相關資源均來源互聯網,如有侵權請速告知,我們將會在24小時內刪除*
技術支持: