大電流MOSFET 135N03 DFN5X6-8L 低內(nei) 阻場效應管 MOS管中文資料
大電流MOSFET 135N03的管腳排列圖：
大電流MOSFET 135N03的特點：
VDS=30V
ID=135A
RDS(ON)＜1.6mΩ@VGS=10V
封裝：DFN5X6-8L
大電流MOSFET 135N03的應用領域：
鋰電保護
負載開關(guan)
不間斷電源
大電流MOSFET 135N03的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 30 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(TC=25℃) | 135 | A |
| IDM | 漏極電流-脈衝 | 350 | |
| EAS | 單脈衝雪崩能量 | 151 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | 55 | A |
| PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 62.5 | W |
| 總耗散功率 TA=25℃ | 2.5 | ||
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~150 | |
| RθJA | 結到環境的熱阻 | 50 | ℃/W |
| RθJC | 結到管殼的熱阻 | 2 |
大電流MOSFET 135N03的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 30 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=20A | 1.3 | 1.6 | mΩ | |
靜態漏源導通電阻 VGS=4.5V,ID=20A | 1.9 | 2.5 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1.2 | 1.6 | 2.2 | V |
| IDSS | 零柵壓漏極電流 VDS=24V,VGS=0V,TJ=25℃ | 1 | uA | ||
零柵壓漏極電流 VDS=24V,VGS=0V,TJ=55℃ | 5 | ||||
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 45 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 9.8 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 6.5 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 3420 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 1916 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 196 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 10.3 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 6.2 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 56 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 8.4 |
大電流MOSFET 135N03的封裝外形尺寸圖：
網站首頁可控矽集成電路MOS管產(chan) 品中心生產(chan) 實力技術支持新聞資訊關(guan) 於(yu) 宇芯聯係我們(men)
掃二維碼進入手機網站 
掃二維碼進入微信 
