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貼片N溝道MOS場效應管 110N03 TO-252
貼片N溝道MOS場效應管 110N03 TO-252
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:110N03
產品封裝:TO-252
產品標題:貼片N溝道MOS場效應管 110N03 TO-252 電源用MOSFET MOS管110N03
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


貼片N溝道MOS場效應管 110N03 TO-252 電源用MOSFET MOS管110N03



電源用MOSFET 110N03的管腳圖:

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電源用MOSFET 110N03的應用:

  • 電池保護

  • 負載開關(guan)

  • 不間斷電源



電源用MOSFET 110N03的極限參數:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數數值單位
VDS漏極-源極電壓30V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續(TC=25℃)110A
IDM漏極電流-脈衝192
EAS單脈衝雪崩能量144.7mJ
IAS雪崩電流53.8A
PD總耗散功率 TC=25℃62.5W
TSTG存儲溫度-55~175
TJ工作結溫-55~175
RθJA結到環境的熱阻62℃/W
RθJC
結到管殼的熱阻2.4



電源用MOSFET 110N03的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓30

V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=30A


2.34

靜態漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=15A


4.36
VGS(th)
柵極開啟電壓1.21.62.5V
IDSS

零柵壓漏極電流

VDS=24V,VGS=0V,TJ=25℃



1uA

零柵壓漏極電流

VDS=24V,VGS=0V,TJ=55℃



5
IGSS

柵極漏電流



±100nA
Qg柵極電荷
70
nC
Qgs柵源電荷密度
12
Qgd柵漏電荷密度
17
Ciss輸入電容
3500
pF
Coss輸出電容
386
Crss反向傳輸電容
358
td(on)開啟延遲時間
11
ns
tr開啟上升時間
120
td(off)關斷延遲時間
25
tf
開啟下降時間
60



電源用MOSFET 110N03的參數特性曲線圖:

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