MOS場效應管 100N03 TO-263 貼片MOSFET參數 30V100A 低壓MOS
MOS場效應管 100N03的引腳圖：
MOS場效應管 100N03的特點：
VDS=30V
ID=100A
RDS(ON)＜4.2mΩ@VGS=10V
封裝：TO-263
MOS場效應管 100N03的應用：
功率切換應用程序
硬開關(guan) 和高頻電路
不間斷電源
MOS場效應管 100N03的極限參數：
(如無特殊說明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：30V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(TC=25℃) ID：90A
漏極電流-脈衝(chong) IDM：320A
單脈衝(chong) 雪崩能量 EAS：225mJ
總耗散功率 (TC=25℃) PD：176W
存儲(chu) 溫度 TSTG：-55~150℃
工作結溫 TJ：175℃
結到管殼的熱阻 RθJC：1.67℃/W
MOS場效應管 100N03的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 30 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=40A | 4.2 | 5.5 | mΩ | |
靜態漏源導通電阻 VGS=4.5V,ID=20A | 5.2 | 6.5 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
| IDSS | 零柵壓漏極電流 VDS=24V,VGS=0V,TC=25℃ | 1 | uA | ||
零柵壓漏極電流 VDS=24V,VGS=0V,TC=125℃ | 100 | ||||
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 VGS=10V | 36 | nC | ||
| 柵極電荷 VGS=4.5V | 18.5 | ||||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 5 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 8 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 1720 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 220 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 165 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 13.5 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 15 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 20 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 14 |
MOS場效應管 100N03的封裝外形尺寸圖：
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