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功率器件MOS管 80N03 PDFN5X6-8L
功率器件MOS管 80N03 PDFN5X6-8L
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:80N03
產品封裝:PDFN5X6-8L
產品標題:功率器件MOS管 80N03 PDFN5X6-8L 30V低壓MOS 場效應管中文資料
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


功率器件MOS管 80N03 PDFN5X6-8L 30V低壓MOS 場效應管中文資料



功率器件MOS管 80N03的引腳配置圖:

blob.png



功率器件MOS管 80N03的特點:

  • VDS=30V

  • ID=80A

  • RDS(ON)<4mΩ@VGS=10V

  • 封裝:PDFN5X6-8L



功率器件MOS管 80N03的應用領域:

  • 電池保護

  • 負載開關(guan)

  • 不間斷電源



功率器件MOS管 80N03的極限參數:

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDSS:30V

  • 柵極-源極電壓 VGSS:±20V

  • 漏極電流-連續 (TC=25℃)ID:80A

  • 漏極電流-連續 (TC=100℃)ID:65A

  • 漏極電流-脈衝(chong)  IDM:400A

  • 單脈衝(chong) 雪崩能量 EAS:320mJ

  • 雪崩電流 IAS:45.8A

  • 存儲(chu) 溫度 TSTG:-55~175

  • 工作結溫 TJ:-55~175℃

  • 總耗散功率(TC=25℃) PD:88W

  • 總耗散功率(TA=25℃) PD:44W

  • 結到環境的熱阻 RθJA:58℃/W

  • 結到管殼的熱阻 RθJC:2.3℃/W



功率器件MOS管 80N03的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓30

V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=24A


2.94

靜態漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=12A


5.36.5
VGS(th)
柵極開啟電壓11.52.5V
IDSS

零柵壓漏極電流

VDS=30V,VGS=0V



1uA
IGSS

柵極漏電流



±100nA
Qg柵極電荷
42
nC
Qgs柵源電荷密度
4
Qgd柵漏電荷密度
13
Ciss輸入電容
2200
pF
Coss輸出電容
280
Crss反向傳輸電容
177
td(on)開啟延遲時間
12.6
ns
tr開啟上升時間
19.5
td(off)關斷延遲時間
42.8
tf
開啟下降時間
13.2



功率器件MOS管 80N03的封裝外形尺寸圖:

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