30VN溝道場效應管 70N03 低壓NMOS MOS管參數替換
低壓NMOS 70N03的引腳圖：
低壓NMOS 70N03的特點：
VDS=30V
ID=70A
RDS(ON)＜5.5mΩ@VGS=10V
封裝：PDFN5X6-8L
低壓NMOS 70N03的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 30 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(TC=25℃) | 70 | A |
| IDM | 漏極電流-脈衝 | 160 | |
| EAS | 單脈衝雪崩能量 | 115.2 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | 48 | A |
| PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 59 | W |
| 總耗散功率 TA=25℃ | 2 | ||
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~150 | |
| RθJA | 結到環境的熱阻 | 62 | ℃/W |
| RθJC | 結到管殼的熱阻 | 2.1 |
低壓NMOS 70N03的電特性：
(如無特殊說明，Tj=25℃)
| 符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 30 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=30A | 3.5 | 5.5 | mΩ | |
靜態漏源導通電阻 VGS=4.5V,ID=15A | 6.5 | 8.5 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1 | 1.6 | 2.5 | V |
| IDSS | 零柵壓漏極電流 VDS=24V,VGS=0V,TJ=25℃ | 1 | uA | ||
零柵壓漏極電流 VDS=24V,VGS=0V,TJ=55℃ | 5 | ||||
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 20 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 7.6 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 7.2 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 2295 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 267 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 210 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 7.8 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 15 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 37.3 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 10.6 |
低壓NMOS 70N03的封裝外形尺寸：
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