國產(chan) 低壓MOS管 65N03 MOSFET主要參數 場效應管引腳圖
國產(chan) 低壓MOS管 65N03的引腳配置圖：
國產(chan) 低壓MOS管 65N03的應用領域：
鋰電池保護
手機快速充電
國產(chan) 低壓MOS管 65N03的極限參數：
(如無特殊說明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：30V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續 ID：65A
漏極電流-脈衝(chong) IDM：100A
單脈衝(chong) 雪崩能量 EAS：28.8mJ
雪崩電流 IAS：24A
總耗散功率 PD：24W
存儲(chu) 溫度 TSTG：-55~150℃
工作結溫 TJ：-55~150℃
結到環境的熱阻 RθJA：60℃/W
結到管殼的熱阻 RθJC：5.2℃/W
國產(chan) 低壓MOS管 65N03的電特性：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 30 | 37 | V | |
| RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=20A | 5 | 7 | mΩ | |
靜態漏源導通電阻 VGS=4.5V,ID=15A | 6.9 | 9 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
| IDSS | 零柵壓漏極電流 VDS=24V,VGS=0V,TJ=25℃ | 1 | uA | ||
零柵壓漏極電流 VDS=24V,VGS=0V,TJ=55℃ | 5 | ||||
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 8 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 2.4 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 3.2 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 814 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 498 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 41 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 7.1 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 40 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 15 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 6 |
國產(chan) 低壓MOS管 65N03的封裝外形尺寸：
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