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插件MOS管 60N03 TO-220
插件MOS管 60N03 TO-220
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:60N03
產品封裝:TO-220
產品標題:30VNMOS 插件MOS管 60N03 TO-220 MOS管應用場合
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


30VNMOS 插件MOS管 60N03 TO-220 MOS管應用場合



插件MOS管 60N03的特點:

  • VDS=30V

  • ID=60A

  • RDS(ON)<12mΩ@VGS=10V

  • 封裝:TO-220



插件MOS管 60N03的應用:

  • 電池保護

  • 負載開關(guan)

  • 不間斷電源



插件MOS管 60N03的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數數值單位
VDS漏極-源極電壓30V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續(TC=25℃)60A
IDM漏極電流-脈衝112
EAS單脈衝雪崩能量24mJ
IAS雪崩電流22A
PD總耗散功率 TC=25℃52.1W
總耗散功率 TA=25℃2
TSTG存儲溫度-55~150
TJ工作結溫-55~150
RθJA結到環境的熱阻62℃/W
RθJC
結到管殼的熱阻2.7



插件MOS管 60N03的電特性:

(如無特殊說明,Tj=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓30

V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=30A



12

靜態漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=15A



18
VGS(th)
柵極開啟電壓1.2
2.5V
IDSS

零柵壓漏極電流

VDS=24V,VGS=0V,TJ=25℃



1uA

零柵壓漏極電流

VDS=24V,VGS=0V,TJ=55℃



5
IGSS

柵極漏電流



±100nA
Qg柵極電荷
9.8
nC
Qgs柵源電荷密度
4.2
Qgd柵漏電荷密度
3.6
Ciss輸入電容
940

pF
Coss輸出電容
131
td(on)開啟延遲時間
4
ns
tr開啟上升時間
8
td(off)關斷延遲時間
31
tf
開啟下降時間
4



插件MOS管 60N03的參數特性曲線圖:

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