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功率器件MOSFET 60N03 TO-252/TO-251
功率器件MOSFET 60N03 TO-252/TO-251
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:60N03
產品封裝:TO-252/TO-251
產品標題:功率器件MOSFET 60N03 貼片場效應管價格 MOS管60N03替換
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


功率器件MOSFET 60N03 貼片場效應管價(jia) 格 MOS管60N03替換



功率器件MOSFET 60N03的引腳圖:

  • 電池保護

  • 負載開關(guan)

  • 不間斷電源



功率器件MOSFET 60N03的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數數值單位
VDS漏極-源極電壓30V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續(TC=25℃)60A
IDM漏極電流-脈衝110
EAS單脈衝雪崩能量57.8mJ
IAS雪崩電流34A
PD總耗散功率 TC=25℃41W
總耗散功率 TA=25℃2.42
TSTG存儲溫度-55~175
TJ工作結溫-55~175
RθJA結到環境的熱阻62℃/W
RθJC
結到管殼的熱阻3.6



功率器件MOSFET 60N03的電特性:

(如無特殊說明,Tj=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓30

V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=30A


7.58.5

靜態漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=15A


1114
VGS(th)
柵極開啟電壓1.21.52.5V
IDSS

零柵壓漏極電流

VDS=24V,VGS=0V,TJ=25℃



1uA

零柵壓漏極電流

VDS=24V,VGS=0V,TJ=55℃



5
IGSS

柵極漏電流



±100nA
Qg柵極電荷
12.617.6nC
Qgs柵源電荷密度
4.25.9
Qgd柵漏電荷密度
5.17.1
Ciss輸入電容
1317
1843pF
Coss輸出電容
163228
Crss反向傳輸電容
131183
td(on)開啟延遲時間
4.69.2ns
tr開啟上升時間
12.222
td(off)關斷延遲時間
26.653
tf
開啟下降時間
816



功率器件MOSFET 60N03的封裝外形尺寸圖:

1、TO-252:

blob.png



2、TO-251:

blob.png


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