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場效應管選型 50N03 SOP-8
場效應管選型 50N03 SOP-8
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:50N03
產品封裝:SOP-8
產品標題:場效應管選型 50N03 SOP-8 MOSFET應用領域 50N03規格書
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


場效應管選型 50N03 SOP-8 MOSFET應用領域 50N03規格書(shu)



場效應管選型 50N03的特點:

  • VDS=30V

  • ID=50A

  • RDS(ON)<6mΩ@VGS=10V

  • 封裝:SOP-8



場效應管選型 50N03的應用領域:

  • 電池保護

  • 負載開關(guan)

  • 不間斷電源



場效應管選型 50N03的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數數值單位
VDS漏極-源極電壓30V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續(TA=25℃)50A
漏極電流-連續(TA=70℃)10
IDM漏極電流-脈衝65
EAS單脈衝雪崩能量105.8mJ
IAS雪崩電流46A
PD總耗散功率 TA=25℃1.5W
TSTG存儲溫度-55~150
TJ工作結溫-55~150
RθJA結到環境的熱阻85℃/W
RθJC
結到管殼的熱阻25



場效應管選型 50N03的電特性:

(如無特殊說明,Tj=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓30

V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=12A


5.56

靜態漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=10A


7.29
VGS(th)
柵極開啟電壓1.2
2.5V
IDSS

零柵壓漏極電流

VDS=24V,VGS=0V,TJ=25℃



1uA

零柵壓漏極電流

VDS=24V,VGS=0V,TJ=55℃



5
IGSS

柵極漏電流



±100nA
Qg柵極電荷
21
nC
Qgs柵源電荷密度
7
Qgd柵漏電荷密度
6.9
Ciss輸入電容
2295

pF
Coss輸出電容
267
Crss反向傳輸電容
210
td(on)開啟延遲時間
9.6
ns
tr開啟上升時間
8.6
td(off)關斷延遲時間
59
tf
開啟下降時間
15.6



場效應管選型 50N03的封裝外形尺寸:

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