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國產大功率MOS管 50N03 TO-252
國產大功率MOS管 50N03 TO-252
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:50N03
產品封裝:TO-252
產品標題:國產大功率MOS管 50N03 TO-252 MOSFET價格 MOS管50N03
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


國產(chan) 大功率MOS管 50N03 TO-252 MOSFET價(jia) 格 MOS管50N03



國產(chan) 大功率MOS管 50N03的應用:

  • 電池保護

  • 負載開關(guan)

  • 不間斷電源



國產(chan) 大功率MOS管 50N03的引腳圖:

image.png  image.png



國產(chan) 大功率MOS管 50N03的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數數值單位
VDS漏極-源極電壓30V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續(TC=25℃)58A
漏極電流-連續(TC=100℃)30
IDM漏極電流-脈衝112
EAS單脈衝雪崩能量24.2mJ
IAS雪崩電流22A
PD總耗散功率 TC=25℃37.5W
TSTG存儲溫度-55~175
TJ工作結溫-55~175
RθJA結到環境的熱阻62.5℃/W
RθJC
結到管殼的熱阻4



國產(chan) 大功率MOS管 50N03的電特性:

(如無特殊說明,Tj=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓3033
V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=30A


7.510

靜態漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=15A


1116
VGS(th)
柵極開啟電壓1.21.62.5V
IDSS

零柵壓漏極電流

VDS=24V,VGS=0V,TJ=25℃



1uA

零柵壓漏極電流

VDS=24V,VGS=0V,TJ=55℃



5
IGSS

柵極漏電流



±100nA
Qg柵極電荷
9.8
nC
Qgs柵源電荷密度
4.2
Qgd柵漏電荷密度
3.6
Ciss輸入電容
940

pF
Coss輸出電容
131
Crss反向傳輸電容
109
td(on)開啟延遲時間
4
ns
tr開啟上升時間
8
td(off)關斷延遲時間
31
tf
開啟下降時間
4



國產(chan) 大功率MOS管 50N03的封裝外形尺寸圖:

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