60N02 TO-252 低壓N溝道MOS管 MOS管選型 場效應管引腳排列
低壓N溝道MOS管 60N02的引腳圖：
低壓N溝道MOS管 60N02的應用：
電池保護
負載開關(guan)
不間斷電源
低壓N溝道MOS管 60N02的極限參數：
(如無特殊要求，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：20V
柵極-源極電壓 VGS：±12V
漏極電流-連續 ID：60A
漏極電流-脈衝(chong) IDM：210A
總耗散功率 PD：57W
單脈衝(chong) 雪崩能量 EAS：56.2mJ
工作結溫和存儲(chu) 溫度 TJ,TSTG：-55~175℃
結到管殼的熱阻 RθJC：2.63℃/W
低壓N溝道MOS管 60N02的電特性：
(如無特殊要求，TC=25℃)
| 符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 20 | 24 | V | |
| RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=4.5V,ID=30A | 4.1 | 5.5 | mΩ | |
靜態漏源導通電阻 VGS=2.5V,ID=20A | 7.4 | 9 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 0.5 | 0.75 | 1.2 | V |
| IDSS | 零柵壓漏極電流 | 1 | uA | ||
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 32 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 3 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 11 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 2500 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 407 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 386 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 17 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 49 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 74 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 26 |
低壓N溝道MOS管 60N02的封裝外形尺寸圖：
網站首頁可控矽集成電路MOS管產(chan) 品中心生產(chan) 實力技術支持新聞資訊關(guan) 於(yu) 宇芯聯係我們(men)
掃二維碼進入手機網站 
掃二維碼進入微信 
