中低壓MOS管 40N02 TO-252 MOSFET生產(chan) 廠家
中低壓MOS管 40N02的引腳配置圖：
中低壓MOS管 40N02的應用：
電池保護
負載開關(guan)
不間斷電源
中低壓MOS管 40N02的極限值：
(如無特殊要求，TC=25℃)
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 20 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±12 | |
| ID | 漏極電流-連續 | 40 | A |
| 漏極電流-連續(TC=100℃) | 28 | ||
| IDM | 漏極電流-脈衝 | 80 | |
| PD | 總耗散功率 | 40 | W |
| EAS | 單脈衝雪崩能量 | 150 | mJ |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~175 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~175 | |
| RθJC | 結到管殼的熱阻 | 3.8 | ℃/W |
中低壓MOS管 40N02的電特性：
(如無特殊要求，TA=25℃)
| 符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 20 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=4.5V,ID=25A | 6.2 | 10 | mΩ | |
靜態漏源導通電阻 VGS=2.5V,ID=10A | 9.1 | 12 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 0.5 | 0.7 | 1.2 | V |
| IDSS | 零柵壓漏極電流 | 1 | uA | ||
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 15 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 1.8 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 2.8 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 1100 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 162 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 105 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 4.5 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 9.2 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 18.7 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 3.3 |
中低壓MOS管 40N02的封裝外形尺寸圖：
網站首頁可控矽集成電路MOS管產(chan) 品中心生產(chan) 實力技術支持新聞資訊關(guan) 於(yu) 宇芯聯係我們(men)
掃二維碼進入手機網站 
掃二維碼進入微信 
