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貼片場效應管型號 20N02 TO-252
貼片場效應管型號 20N02 TO-252
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:20N02
產品封裝:TO-252
產品標題:場效應管20N02 TO-252 MOS管型號大全 20N02 MOS管引腳
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


場效應管20N02 TO-252 MOS管型號大全 20N02 MOS管引腳



MOS管型號大全 20N02的特點:

  • VDS=20V

  • ID=20A

  • RDS(ON)<15mΩ@VGS=10V

  • 封裝:TO-252



MOS管型號大全 20N02的應用:

  • 太陽能路燈

  • 負載開關(guan)

  • 不間斷電源



MOS管型號大全 20N02的電特性:

(如無特殊要求,TC=25℃)

符號參數數值單位
VDS漏極-源極電壓20V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續20A
IDM漏極電流-脈衝50
PD總耗散功率 TC=25℃20.8W
總耗散功率 TA=25℃2
EAS單脈衝雪崩能量8.1mJ
IAS雪崩電流12.7A
TSTG存儲溫度-55~150
TJ工作結溫-55~150
RθJA結到環境的熱阻62℃/W
RθJC
結到管殼的熱阻6



MOS管型號大全 20N02的電特性:

(如無特殊要求,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓2022
V
RDS(ON)

靜態漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=7.6A


1215

靜態漏源導通電阻

VGS=2.5V,ID=3.5A


15.520

靜態漏源導通電阻

VGS=1.8V,ID=2.5A


20.535
VGS(th)
柵極開啟電壓0.50.651V
IDSS

零柵壓漏極電流

VDS=20V,VGS=0V



1uA
IGSS

柵極漏電流



±100nA
Qg柵極電荷
11.05
nC
Qgs柵源電荷密度
1.73
Qgd柵漏電荷密度
3.1
Ciss輸入電容
888
pF
Coss輸出電容
133
Crss反向傳輸電容
117
td(on)開啟延遲時間
7
ns
tr開啟上升時間
46
td(off)關斷延遲時間
30
tf
開啟下降時間
52



MOS管型號大全 20N02的封裝外形尺寸圖:

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