貼片MOS管 12N10 TO-252 國產(chan) 場效應管 12N10
國產(chan) 場效應管 12N10的應用領域：
消費電子電源
電機控製
同步整流
國產(chan) 場效應管 12N10的極限值：
漏極-源極電壓 VDS：100V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續 ID：12A
功耗 PD：17W
雪崩能量 EAS：1.2mJ
存儲(chu) 溫度，結溫 Tstg，Tj：-55~+150℃
國產(chan) 場效應管 12N10的電特性：
| 參數 | 符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
| 漏極-源極擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 100 | V | ||
| 柵極開啟電壓 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250μA | 1.5 | 2.5 | ||
| 柵極漏電流 | IGSS | VGS=±20V | ±100 | nA | ||
| 零柵壓漏極電流 | IDSS | VDS=100V,VGS=0V | 1 | uA | ||
| 靜態漏源導通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=5A | 110 | 140 | mΩ | |
| VGS=4.5V,ID=3A | 160 | 300 | ||||
| 輸入電容 | Ciss | VGS=0V,VDS=50V,f=100KHz | 206.1 | pF | ||
| 輸出電容 | Coss | 28.9 | ||||
| 反向傳輸電容 | Crss | 1.4 | ||||
| 開啟延遲時間 | td(on) | VGS=10V,VDS=50V RG=2Ω,ID=5A | 14.7 | ns | ||
| 開啟上升時間 | tr | 3.5 | ||||
| 關斷延遲時間 | td(off) | 20.9 | ||||
| 開啟下降時間 | tf | 2.7 | ||||
| 柵源電荷密度 | Qgs | VDS=50V,VGS=10V,ID=5A | 1.5 | nC | ||
| 柵漏電荷密度 | Qgd | 1.1 |
國產(chan) 場效應管 12N10的封裝外形尺寸：
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