高壓功率MOS管 FIR9N65LG TO-252 貼片MOSFET
高壓功率MOS管 FIR9N65LG的引腳圖：
高壓功率MOS管 FIR9N65LG的極限值：
| 參數 | 符號 | 數值 | 單位 |
| 漏極-源極電壓 | VDSS | 650 | V |
| 柵極-源極電壓 | VGSS | +30 | |
| 漏極電流-連續 | ID | 9 | A |
| 漏極電流-脈衝 | IDM | 18 | |
| 功耗 | PD | 55 | W |
| 結溫 | TJ | +150 | ℃ |
| 存儲溫度 | TSTG | -55~+150 |
高壓功率MOS管 FIR9N65LG的電特性：
| 符號 | 參數 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | VGS=0V,ID=250μA | 650 | V | ||
| IDSS | 零柵壓漏極電流 | VDS=650V,VGS=0V | 10 | μA | ||
| RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 | VGS=10V,ID=4.5A | 1 | Ω | ||
| VGS(TH) | 柵極開啟電壓 | VDS=VGS,ID=250μA | 2 | 4 | V |
高壓功率MOS管 FIR9N65LG的封裝外形尺寸：
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