T410國產(chan) 4A晶閘管 三象限可控矽T410 TO-220B大功率可控矽
三象限可控矽T410的極限值：
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 |
| VDRM/VRRM | 斷態重複峰值電壓 | 600/800 | V |
| IT(RMS) | 通態均方根電流 | 4 | A |
| ITSM | 通態不重複浪湧電流 | 30 | A |
| I2t | I2t值 | 5.1 | A2s |
| dIT/dt | 通態電流臨界上升率 | 50 | A/μs |
| IGM | 門極峰值電流 | 4 | A |
| PGM | 門極峰值功率 | 4 | W |
| PG(AV) | 門極平均功率 | 1 | |
| Tstg | 存儲溫度 | -40~+150 | ℃ |
| Tj | 工作結溫 | -40~+125 |
三象限可控矽T410的電特性：
| 符號 | 參數 | 測試條件 | 數值 | 單位 | |
| IGT | 門極觸發電流 | VD=12V,RL=30Ω,Tj=25℃ | I-II-III | ≤10 | mA |
| VGT | 門極觸發電壓 | I-II-III | ≤1.3 | V | |
| VGD | 門極不觸發電壓 | VD=VDRM,Tj=125℃ | ≥0.2 | ||
| IH | 維持電流 | IT=100mA | ≤15 | mA | |
| IL | 擎住電流 | IG=1.2IGT | I-III | ≤25 | mA |
| II | ≤30 | ||||
| dVD/dt | 斷態電壓臨界上升率 | VD=67%VDRM,門極開路 Tj=125℃ | ≥40 | V/μs | |
| VIM | 通態壓降 | ITM=8.5A,tp=380μs | ≤1.55 | V | |
| IDRM/IRRM | 斷態重複峰值電流 | VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃ | ≤5 | μA | |
| VD=VDRM/VRRM,Tj=125℃ | ≤1 | mA | |||
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