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中低壓功率MOS管 FIR210N10ANFG TO-247
中低壓功率MOS管 FIR210N10ANFG TO-247
產品品牌:美國福斯特
產品類型:中低壓功率MOS管
產品型號:FIR210N10ANFG
產品封裝:TO-247
產品標題:增強型功率MOSFET FIR210N10ANFG N溝道福斯特MOS管 TO-247
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


增強型功率MOSFET FIR210N10ANFG N溝道福斯特MOS管 TO-247



FIR210N10ANFG的極限值:

參數符號數值單位
漏極-源極電壓VDSS100V
柵極-源極電壓VGS±20
漏極電流-連續ID
210A
漏極電流-連續 TC=100℃160
漏極電流-脈衝IDM850
功耗PD385W
單脈衝雪崩能量EAS2300mJ
工作結溫和存儲溫度範圍TJ,TSTG
-55~175




FIR210N10ANFG的電特性:

參數符號測試條件最小值典型值最大值單位
漏極-源極擊穿電壓BVDSSVGS=0V,ID=250μA100110
V
零柵壓漏極電流IDSS
VDS=100V,VGS=0V

1μA
柵極漏極電流IGSSVGS=±20V,VDS=0V

±200nA
柵極開啟電壓VGS(th)VDS=VGS,ID=250μA234V
靜態漏源導通電阻RDS(ON)
VGS=10V,ID=40A
3.34.3
正向跨導gfsVDS=25V,ID=40A300

S
輸入電容CissVDS=25V,VGS=0V,F=1.0MHz

16500
pF
輸出電容Coss
1061
反向傳輸電容Crss
811
開啟延遲時間td(on)VDD=30V,ID=2A VGS=10V,RGEN=2.5Ω

68
nS
開啟上升時間tr
45
關斷延遲時間td(off)
215
開啟下降時間tf
56
柵源電荷密度QgsVDS=30V,ID=30A,VGS=10V

79
nC
柵漏電和密度Qgd
118




FIR210N10ANFG的封裝外形尺寸:

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