hth体育官网登录可控矽一站式解決方案提供商專注华体会竞猜app,华体会体育沃尔夫斯堡,hth棋牌软件,高壓可控矽,達林頓芯片等半導體器件的應用服務。
當前位置: 首頁 » 產品中心 » 代理產品 » 福斯特半導體 » 中低壓功率MOS管 » 中低壓功率MOS管 FIR130N10PG TO-220

產品分類

Product Categories
中低壓功率MOS管 FIR130N10PG TO-220
中低壓功率MOS管 FIR130N10PG TO-220
產品品牌:美國福斯特
產品類型:中低壓功率MOS管
產品型號:FIR130N10PG
產品封裝:TO-220
產品標題:FIR130N10PG TO-220 中低壓功率MOS管 N溝道增強型場效應管
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


FIR130N10PG TO-220 中低壓功率MOS管 N溝道增強型場效應管



FIR130N10PG的極限值:

參數符號數值單位
漏極-源極電壓VDSS100V
柵極-源極電壓VGS±20
漏極電流-連續ID130A
漏極電流-連續 TC=100℃92
漏極電流-脈衝IDM
500
功耗PD285W
單脈衝雪崩能量EAS1100mJ
工作結溫和存儲溫度範圍TJ,TSTG-55~175




FIR130N10PG的電特性:

參數符號測試條件最小值典型值最大值單位
漏極-源極擊穿電壓BVDSSVGS=0V ID=250μA100110
V
零柵壓漏極電流IDSSVDS=100V,VGS=0V

1μA
柵極漏電流IGSSVGS=±20V,VDS=0V

±100nA
柵極開啟電壓VGS(th)VDS=VGS,ID=250μA234V
靜態漏源導通電阻RDS(ON)VGS=10V,ID=20A
5.36.8
正向跨導gfsVDS=5V,ID=20A40

S
輸入電容CissVDS=25V,VGS=0V,F=1.0MHz

7200
pF
輸出電容Coss
2800
反向傳輸電容Crss
692
開啟延遲時間td(on)
VDD=50V,RL=2.5Ω VGS=10V,RGEN=3Ω

31
nS
開啟上升時間tr
24
關斷延遲時間td(off)
45
開啟下降時間tf
27
柵源電荷密度QgsVDS=50V,ID=20A,VGS=10V

35
nC
柵漏電和密度Qgd
23



產品推薦

Product recommendations
*本站相關網頁素材及相關資源均來源互聯網,如有侵權請速告知,我們將會在24小時內刪除*
技術支持: