FIR110N15ANG TO-3P 福斯特功率MOSFET N溝道增強型MOS管
FIR110N15ANG的極限值：
| 參數 | 符號 | 數值 | 單位 |
| 漏極-源極電壓 | VDSS | 150 | V |
| 柵極-源極電壓 | VGS | ±20 | V |
| 漏極電流-連續 | ID | 110 | A |
| 漏極電流-連續 TC=100℃ | 80 | ||
| 漏極電流-脈衝 | IDM | 390 | A |
| 功耗 | PD | 385 | W |
| 單脈衝雪崩能量 | EAS | 1800 | mJ |
| 工作結溫和存儲溫度範圍 | TJ,TSTG | -55~175 | ℃ |
FIR110N15ANG的電特性：
| 參數 | 符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
| 漏極-源極擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 150 | 160 | V | |
| 零柵壓漏極電流 | IDSS | VDS=150V,VGS=0V | 1 | μA | ||
| 柵極漏電流 | IGSS | VGS=±20V,VDS=0V | ±200 | nA | ||
| 柵極開啟電壓 | VGS(th) | VDS=VGS,ID=250μA | 2 | 3 | 4 | V |
| 靜態漏源導通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=40A | 10 | 13 | mΩ | |
| 正向跨導 | gfs | VDS=50V,ID=40A | 50 | S | ||
| 輸入電容 | Ciss | VDS=25V,VGS=0V,F=1.0MHz | 16500 | pF | ||
| 輸出電容 | Coss | 1344 | ||||
| 反向傳輸電容 | Crss | 1025 | ||||
| 開啟延遲時間 | td(on) | VDD=30V,ID=2A,RL=15Ω VGS=10V,RG=2.5Ω | 20 | nS | ||
| 開啟上升時間 | tr | 130 | ||||
| 關斷延遲時間 | td(off) | 50 | ||||
| 開啟下降時間 | tf | 60 | ||||
| 柵源電荷密度 | Qgs | VDS=30V,ID=30A,VGS=10V | 79 | nC | ||
| 柵漏電和密度 | Qgd | 118 |
網站首頁可控矽集成電路MOS管產(chan) 品中心生產(chan) 實力技術支持新聞資訊關(guan) 於(yu) 宇芯聯係我們(men)
掃二維碼進入手機網站 
掃二維碼進入微信 
