MOS管G極與S極之間的電阻作用

• 來源：hth体育官网登录 更新時間：2023-12-11 10:23:38點擊：6次

• 
  

  MOS管G極與(yu) S極之間的電阻作用

  
  

  
  

          MOS管具有三個(ge) 內(nei) 在的寄生電容：Cgs、Cgd、Cds。這一點在MOS管的規格書(shu) 中可以體(ti) 現（規格書(shu) 常用Ciss、Coss、Crss這三個(ge) 參數代替）。MOS管之所以存在米勒效應，以及ＧＳ之間要並電阻，其源頭都在於(yu) 這三個(ge) 寄生電容。

  

  MOS管內(nei) 部寄生電容示意

  
  

  
  

  

  寄生電容參數

  
  

  
  

  1.MOS管的米勒效應

  

  MOS管驅動之理想與(yu) 現實

  
  

          理想的MOS管驅動波形應是方波，當Cgs達到門檻電壓之後， MOS管就會(hui) 進入飽和導通狀態。而實際上在MOS管的柵極驅動過程中，會(hui) 存在一個(ge) 米勒平台。米勒平台實際上就是MOS管處於(yu) “放大區”的典型標誌，所以導致開通損耗很大。由此可見，米勒效應是一個(ge) 對電路不利的卻又客觀存在的現象，在設計電路時需要加以考慮。

  
  

  
  

  米勒平台形成的詳細過程：

  

  MOS管開啟過程

  
  

  
  

  將MOS管開啟時間分解：

          t0→t1：當GS兩(liang) 端電壓達到門限電壓Vgs(th)的時候（可以理解為(wei) 對Cgs進行充電），MOS管開始導通，這之前MOS管處於(yu) 截止區；

          t1→t2：隨著Vgs繼續增大，Id開始增大，Vds開始下降，此時MOS管工作在飽和區（如何判斷是在飽和區？直接通過公式可知：Vds>Vgs-Vth，Vds-Id輸出特性曲線反著分析一遍），Id主要由Vgs決(jue) 定，這個(ge) 過程中Vds會(hui) 稍微有點降低，主要是△I導致G極端一些寄生感抗等形成壓降；

          t2→t3：Vgs增大到一定程度後，出現米勒效應，Id已經達到飽和，此時Vgs會(hui) 持續一段時間不再增加，而Vds繼續下降，給Cgd充電，也正是因為(wei) 需要給Cgd充電，所以Cgs兩(liang) 端電壓變化就比較小（MOS管開通時，Vd>Vg，Cdg先通過MOS管放電，而後再反向充電，奪取了給Cgs的充電電流，造成了Vgs的平台）；

          t3→t4：Vgs繼續上升，此時進入可變電阻區，DS導通，Vds降來下來（米勒平台由於(yu) 限製了Vgs的增加，也就限製了導通電阻的降低，進而限製了Vds的降低，使得MOS管不能很快進入開關(guan) 狀態）。

  
  

  
  

  2.MOS管G極與(yu) S極之間的電阻作用

  

  反激電源圖：R3為(wei) GS電阻

  
  

          用一個(ge) 簡單的實驗證明GS間電阻的重要性：取一隻mos管,讓它的G極懸空,然後在DS上加電壓,結果發現輸入電壓才三四十伏的時候,MOS管的DS就會(hui) 直接導通，如果不限流則可能損壞。按說此時沒有驅動，MOS管不應導通。但其實由於(yu) MOS管寄生電容的存在,當在DS之間加電壓時，加在DS之間電壓會(hui) 通過Cdg給Cgs充電,這樣G極的電壓就會(hui) 抬高直到mos管導通。（假如采用變壓器驅動,變壓器繞組可以起到放電作用,所以即使不加GS電阻,在驅動沒有的情況下,管子也不會(hui) 自己導通）

          在GS之間並聯一個(ge) 電阻（阻值約為(wei) 幾K到幾十K），可以有效保障MOS管正常工作。首先，門極懸空時DS之間電壓不會(hui) 導致MOS管導通損壞，同時在沒有驅動時能將MOS管的門極鉗在低位，不會(hui) 誤動作，能可靠通斷。

  
  

  
  

  ---

  聲明：本網站原創內(nei) 容，如需轉載，請注明出處；本網站轉載的內(nei) 容（文章、圖片、視頻）等資料版權歸原網站所有。如我們(men) 采用了您不宜公開的文章或圖片，未能及時和您確認，避免給雙方造成不必要的經濟損失，請電郵聯係我們(men) ，以便迅速采取適當處理措施；郵箱：limeijun@transql.com