mos管做電源設計的發熱分析

• 來源：hth体育官网登录 更新時間：2022-04-26 10:22:06點擊：6次

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  mos管做電源設計的發熱分析

  
  

  本文來源：ECCN中電網
  

  
  

  在開關(guan) 電源中常用MOS管的漏極開路電路，如圖2漏極原封不動地接負載，叫開路漏極，開路漏極電路中不管負載接多高的電壓，都能夠接通和關(guan) 斷負載電流。是理想的模擬開關(guan) 器件。這就是MOS管做開關(guan) 器件的原理。當然MOS管做開關(guan) 使用的電路形式比較多了。

  
  

  小電流mos管發熱分析

  
  

  mos管，做電源設計，或者做驅動方麵的電路，難免要用到MOS管。MOS管有很多種類，也有很多作用。做電源或者驅動的使用，當然就是用它的開關(guan) 作用。

   

  無論N型或者P型MOS管，其工作原理本質是一樣的。MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來控製輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過加在柵極上的電壓控製器件的特性，不會(hui) 發生像三極管做開關(guan) 時的因基極電流引起的電荷存儲(chu) 效應，因此在開關(guan) 應用中，MOS管的開關(guan) 速度應該比三極管快。其主要原理如圖：

  
  

  

  
  

  在開關(guan) 電源中常用MOS管的漏極開路電路，如圖2漏極原封不動地接負載，叫開路漏極，開路漏極電路中不管負載接多高的電壓，都能夠接通和關(guan) 斷負載電流。是理想的模擬開關(guan) 器件。這就是MOS管做開關(guan) 器件的原理。當然MOS管做開關(guan) 使用的電路形式比較多了。

  
  

  

  
  

  在開關(guan) 電源應用方麵，這種應用需要MOS管定期導通和關(guan) 斷。比如，DC-DC電源中常用的基本降壓轉換器依賴兩(liang) 個(ge) MOS管來執行開關(guan) 功能，這些開關(guan) 交替在電感裏存儲(chu) 能量，然後把能量釋放給負載。我們(men) 常選擇數百kHz乃至1MHz以上的頻率，因為(wei) 頻率越高，磁性元件可以更小更輕。在正常工作期間，MOS管隻相當於(yu) 一個(ge) 導體(ti) 。因此，我們(men) 電路或者電源設計人員很關(guan) 心的是MOS的很小傳(chuan) 導損耗。

   

  我們(men) 經常看MOS管的PDF參數，MOS管製造商采用RDS（ON）參數來定義(yi) 導通阻抗，對開關(guan) 應用來說，RDS（ON）也是很重要的器件特性。數據手冊(ce) 定義(yi) RDS（ON）與(yu) 柵極（或驅動）電壓VGS以及流經開關(guan) 的電流有關(guan) ，但對於(yu) 充分的柵極驅動，RDS（ON）是一個(ge) 相對靜態參數。一直處於(yu) 導通的MOS管很容易發熱。另外，慢慢升高的結溫也會(hui) 導致RDS（ON）的增加。MOS管數據手冊(ce) 規定了熱阻抗參數，其定義(yi) 為(wei) MOS管封裝的半導體(ti) 結散熱能力。RθJC的很簡單的定義(yi) 是結到管殼的熱阻抗。

  
  

  
  

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