造成华体会竞猜app損壞原因判別哪種參數壞了？

• 來源：hth体育官网登录 更新時間：2022-04-11 15:07:50點擊：6次

• 當晶閘管損壞後需要檢查分析其原因時，可把管芯從(cong) 冷卻套中取出，打開芯盒再取出芯片，觀察其損壞後的痕跡，以判斷是何原因。造成損壞原因判別哪種參數壞了？下麵介紹幾種常見現象分析。

  

  1、電壓擊穿。晶閘管因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個(ge) 光潔的小孔，損壞的麵積小，有時需用擴大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產(chan) 生的高電壓擊穿。

  
  

  2、電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個(ge) 凹坑，且粗糙，損壞的麵積大，其位置在遠離控製極上。

  
  

  3 電流上升率損壞。其痕跡與(yu) 電流損壞相同，而其位置在控製極附近或就在控製極上。

  
  

  4、 邊緣損壞。他發生在芯片外圓倒角處，有細小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角麵上有細細金屬物劃痕。這是製造廠家安裝不慎所造成的。它導致電壓擊穿。

  
  

  5、G-K 電壓擊穿。晶閘管 G-K 間因不能承受反向電壓（12V）而損壞，其芯片 G-K 間有燒焦的通路（短路痕跡）。

  
  

  
  

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