可控矽的主要參數有哪些方麵？

• 來源：hth体育官网登录 更新時間：2022-01-20 11:50:52點擊：6次

• 的主要參數有哪些方麵？常用的有阻容移相橋觸發電路、單結晶體(ti) 管觸發電路、晶體(ti) 三極管觸發電路、利用小晶閘管觸發大晶閘管的觸發電路，等等。可控矽的主要參數：
  

  

  1、 額定通態平均電流IT在一定條件下，陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲(zi) 正弦半波電流的平均值。

  
  

  2、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控製極開路未加觸發信號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重複加在可控矽兩(liang) 端的正向峰值電壓。可控矽承受的正向電壓峰值，不能超過手冊(ce) 給出的這個(ge) 參數值。

  
  

  3、 反向阻斷峰值電壓VPR當可控矽加反向電壓，處於(yu) 反向關(guan) 斷狀態時，可以重複加在可控矽兩(liang) 端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊(ce) 給出的這個(ge) 參數值。

  
  

  4、 控製極觸發電流Ig1 、觸發電壓VGT在規定的環境溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時，可控矽從(cong) 關(guan) 斷狀態轉為(wei) 導通狀態所需要的最小控製極電流和電壓。

  
  

  5、 維持電流IH在規定溫度下，控製極斷路，維持可控矽導通所必需的最小陽極正向電流。許多新型可控矽元件相繼問世，如適於(yu) 高頻應用的快速可控矽，可以用正或負的觸發信號控製兩(liang) 個(ge) 方向導通的华体会体育沃尔夫斯堡，可以用正觸發信號使其導通，用負觸發信號使其關(guan) 斷的可控矽等等。

  
  

  
  

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