MOSFET器件選型的3大法則
本文來源：ECCN中電網
俗話說“人無遠慮必有近憂”。對於(yu) 電子設計工程師，在項目開始之前、器件選型之初，就要做好充分考慮，選擇Z適合自己需要的器件，才能保證項目的成功。
功率MOSFET恐怕是工程師們(men) Z常用的器件之一了，但你知道嗎？關(guan) 於(yu) MOSFET的器件選型要考慮各方麵的因素，小到選N型還是P型、封裝類型；大到MOSFET的耐壓、導通電阻等，不同的應用需求千變萬(wan) 化，下麵這篇文章總結了MOSFET器件選型的3大法則，相信看完你會(hui) 大有收獲。
1、功率MOSFET選型DY步：P溝道還是N溝道？
功率MOSFET有兩(liang) 種類型：N溝道和P溝道，在係統設計的過程中選擇N溝道還是P溝道，要針對實際的應用具體(ti) 來選擇。N溝道MOSFET選擇的型號多，成本低；P溝道MOSFET選擇的型號較少，成本高。
如果功率MOSFET的S極連接端的電壓不是係統的參考地，N溝道就需要浮地驅動、變壓器驅動或自舉(ju) 驅動，驅動電路複雜；P溝道可以直接驅動，驅動簡單。
需要考慮N溝道和P溝道的應用主要是：
（1）筆記本電腦、台式機和服務器等使用的給CPU和係統散熱的風扇，打印機進紙係統電機驅動，吸塵器、空氣淨化器、電風扇等白家電的電機控製電路。這些係統使用全橋電路結構，每個(ge) 橋臂可以使用P溝道或者N溝道。
（2）通信係統48V輸入係統的熱插撥MOSFET放在高端，可以使用P溝道，也可以使用N溝道。
（3）筆記本電腦輸入回路串聯的、起防反接和負載開關(guan) 作用的兩(liang) 個(ge) 背靠背的功率MOSFET。使用N溝道需要控製芯片內(nei) 部集成驅動的充電泵，使用P溝道可以直接驅動。
2、選取封裝類型
功率MOSFET的溝道類型確定後，第二步就要確定封裝，封裝選取原則有：
（1）溫升和熱設計是選取封裝Z基本的要求
不同的封裝尺寸具有不同的熱阻和耗散功率，除了考慮係統的散熱條件和環境溫度，如是否有風冷、散熱器的形狀和大小限製、環境是否封閉等因素，基本原則就是在保證功率MOSFET的溫升和係統效率的前提下，選取參數和封裝更通用的功率MOSFET。
有時候由於(yu) 其他條件的限製，需要使用多個(ge) MOSFET並聯的方式來解決(jue) 散熱的問題，如在PFC應用、電動汽車電機控製器、通信係統的模塊電源次級同步整流等應用中，都會(hui) 選取多溝道並聯的方式。
如果不能采用多溝道並聯，除了選取性能更優(you) 異的功率MOSFET，另外可以采用更大尺寸的封裝或新型封裝，例如在一些AC/DC電源中將TO220改成TO247封裝；在一些通信係統的電源中，采用DFN8*8的新型封裝。
（2）係統的尺寸限製
有些電子係統受製於(yu) PCB的尺寸和內(nei) 部的高度，如通信係統的模塊電源由於(yu) 高度的限製通常采用DFN5*6和DFN3*3的封裝；在有些ACDC的電源中，由於(yu) 使用超薄設計或由於(yu) 外殼的限製，裝配時TO220封裝的功率MOSFET溝道腳直接插到根部，由於(yu) 高度的限製不能使用TO247的封裝。
有些超薄設計直接將器件溝道腳折彎平放，這種設計生產(chan) 工序會(hui) 變複雜。
在大容量的鋰電池保護板中，由於(yu) 尺寸限製極為(wei) 苛刻，現在大多使用芯片級的CSP封裝，盡可能提高散熱性能同時縮小尺寸。
（3）成本控製
早期很多電子係統使用插件封裝，這幾年由於(yu) 人工成本增加，很多公司開始改用貼片封裝，雖然貼片的焊接成本比插件高，但是貼片焊接的自動化程度高，總體(ti) 成本仍然可以控製在合理的範圍。在台式機的主板和板卡等一些對成本極其敏感的應用中，通常采用DPAK封裝的功率MOSFET。
因此在選擇功率MOSFET的封裝時，要結合產(chan) 品的特點，綜合考慮上麵因素選取適合的方案。
3、選取導通電阻RDSON，注意：不是電流
很多時候工程師關(guan) 心RDSON，是因為(wei) RDSON和導通損耗直接相關(guan) 。RDSON越小，功率MOSFET的導通損耗越小；效率越高、溫升越低。
同樣的，工程師盡可能沿用以前項目中或物料庫中現有的元件，對於(yu) RDSON的真正選取方法並沒有太多的考慮。當選用的功率MOSFET的溫升太低，出於(yu) 成本的考慮，會(hui) 改用RDSON大一些的元件；當功率MOSFET的溫升太高、係統的效率偏低，就會(hui) 改用RDSON小一些的元件，或通過優(you) 化外部的驅動電路，改進散熱的方式等來進行調整。
如果是一個(ge) 全新的項目，沒有以前的項目可循，那麽(me) 如何選取功率MOSFET的RDSON？這裏介紹一個(ge) 方法給大家：
功耗分配法
當設計一個(ge) 電源係統的時候，已知條件有：輸入電壓範圍、輸出電壓/輸出電流、效率、工作頻率和驅動電壓，當然還有其他的技術指標，但和功率MOSFET相關(guan) 的主要是這些參數。步驟如下：
（1）根據輸入電壓範圍、輸出電壓/輸出電流和效率，計算係統的Z大損耗。
（2）對功率回路的雜散損耗、非功率回路元件的靜態損耗、IC的靜態損耗以及驅動損耗做大致的估算，經驗值可以占總損耗的10%～15%。
如果功率回路有電流取樣電阻，則計算電流取樣電阻的功耗。總損耗減去上麵的這些損耗，剩下部分就是功率器件、變壓器或電感的功率損耗。
將剩下的功率損耗按一定的比例分配到功率器件和變壓器或電感中，不確定的話，按元件數目平均分配，這樣就得到每個(ge) MOSFET的功率損耗。
（3）將MOSFET的功率損耗，按一定的比例分配給開關(guan) 損耗和導通損耗，不確定的話，平均分配開關(guan) 損耗和導通損耗。
（4）通過MOSFET導通損耗和流過的有效值電流，計算Z大允許的導通電阻，這個(ge) 電阻是MOSFET在Z高工作結溫的RDSON。
數據表中功率MOSFET的RDSON標注有確定的測試條件，在不同的既定條件下具有不同的值，測試的溫度為(wei) ：TJ=25℃，RDSON具有正溫度係數，因此根據MOSFETZ高的工作結溫和RDSON溫度係數，由上述RDSON計算值，得到25℃溫度下對應的RDSON。
（5）通過25℃的RDSON來選取型號合適的功率MOSFET，根據MOSFET的RDSON實際參數，向下或向上修整。
通過以上步驟，就可以初步選定功率MOSFET的型號和RDSON參數。
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