的元件簡單介紹？及構造原理？一種以矽單晶為(wei) 基本材料的P1N1P2N2四層三端器件，創製於(yu) 1957年，由於(yu) 它特性類似於(yu) 真空閘流管，所以國際上通稱為(wei) 矽晶體(ti) 閘流管，簡稱可控矽T。又由於(yu) 可控矽應用於(yu) 可控整流方麵所以又稱為(wei) 矽可控整流元件，簡稱為(wei) 可控矽SCR。
在性能上，可控矽不僅(jin) 具有單向導電性，而且還具有比矽整流元件（俗稱“死矽”）更為(wei) 可貴的可控性。它隻有導通和關(guan) 斷兩(liang) 種狀態。
可控矽能以毫安級電流控製大功率的機電設備，如果超過此頻率，因元件開關(guan) 損耗顯著增加，允許通過的平均電流相降低，此時，標稱電流應降級使用。
可控矽的優(you) 點很多，例如：以小功率控製大功率，功率放大倍數高達幾十萬(wan) 倍；反應極快，在微秒級內(nei) 開通、關(guan) 斷；無觸點運行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等。
可控矽的弱點：靜態及動態的過載能力較差；容易受幹擾而誤導通。
盡管從(cong) 形式上可將华体会体育沃尔夫斯堡看成兩(liang) 隻普通可控矽的組合，但實際上它是由7隻晶體(ti) 管和多隻電阻構成的功率集成器件。小功率华体会体育沃尔夫斯堡一般采用塑料封裝，有的還帶散熱板。典型產(chan) 品有BT131(1A/600V)、BT132(2A/600V)、BT136(4A/600V)，BTA08(8A/800V)等。
华体会体育沃尔夫斯堡屬於(yu) NPNPN五層器件，三個(ge) 電極分別是T1、T2、G。因該器件可以雙向導通，故除門極G以外的兩(liang) 個(ge) 電極統稱為(wei) 主端子，用T1、T2表示，不再劃分成陽極或陰極。其特點是，當G極和T2極相對於(yu) T1，的電壓均為(wei) 正時，T2是陽極，T1是陰極。反之，當G極和T2極相對於(yu) T1的電壓均為(wei) 負時，T1變成陽極，T2為(wei) 陰極。华体会体育沃尔夫斯堡由於(yu) 正、反向特性曲線具有對稱性，所以它可在任何一個(ge) 方向導通。
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