MOS管7N65 650V高壓MOS管 7N65 場效應管引腳排列

• 來源：hth体育官网登录 更新時間：2021-03-17 18:17:54點擊：6次

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  MOS管7N65 650V高壓MOS管 7N65 場效應管引腳排列

  
  

  
  

  650V高壓MOS管 7N65的符號圖：

  

  
  

  
  

  650V高壓MOS管 7N65的應用：

  • 不間斷電源(UPS)

  • 功率因數補償(chang) (PFC)
    

  
  

  
  

  650V高壓MOS管 7N65的特點：
  

  • V_DS=650V

  • I_D=7A

  • R_DS(ON)＜2.4Ω@V_GS=10V

  • 封裝：TO-220、TO-220F

  
  

  
  

  650V高壓MOS管 7N65的極限參數：

  (如無特殊要求，T_C=25℃)

  符號	參數	數值	單位
  VDSS	漏極-源極電壓	650	V
  VGSS	柵極-源極電壓	±30
  ID	漏極電流-連續	7	A
  IDM	漏極電流-脈衝	28
  PD	總耗散功率 TC=25℃	63	W
  EAS	單脈衝雪崩能量	198	mJ
  EAR	重複雪崩能量	40
  IAR	雪崩電流	3.5	A
  TSTG	存儲溫度	-55~150	℃
  TJ	工作結溫	-55~150
  RθJA	結到環境的熱阻	62.5	℃/W
  RθJC	結到管殼的熱阻	1.29

  
  

  
  

  650V高壓MOS管 7N65的電特性：

  (如無特殊要求，T_A=25℃)

  符號	參數	MIN值	TYP值	MAX值	單位
  V(BR)DSS	漏極-源極擊穿電壓	650			V
  RDS(ON)	靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=2A		1.1	1.35	Ω
  VGS(th)	柵極開啟電壓	3		4	V
  IDSS	零柵壓漏極電流 VDS=650V，VGS=0V，TJ=25℃			1	uA
  IGSS	柵極漏電流			±100	nA
  Qg	柵極電荷		22		nC
  Qgs	柵源電荷密度		4.3
  Qgd	柵漏電荷密度		13
  Ciss	輸入電容		891		pF
  Coss	輸出電容		110
  Crss	反向傳輸電容		14
  td(on)	開啟延遲時間		15		ns
  tr	開啟上升時間		18
  td(off)	關斷延遲時間		80
  tf	開啟下降時間		35

  
  

  
  

  650V高壓MOS管 7N65的參數特性曲線圖：

  (如無特殊要求，T_J=25℃)

  

  
  

  

  
  

  
  

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