100V場效應管 3N10 SOT-23 貼片MOS管 國產場效應管替代

• 來源：hth体育官网登录 更新時間：2021-03-05 10:47:47點擊：6次

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  100V場效應管 3N10 SOT-23 貼片MOS管 國產(chan) 場效應管替代

  
  

  
  

  100V場效應管 3N10的管腳排列圖：

  

  
  

  
  

  100V場效應管 3N10的特點：

  • V_DS=100V

  • I_D=2.8A

  • R_DS(ON)＜320mΩ@V_GS=10V

  • 封裝：SOT-23
    

  
  

  
  

  100V場效應管 3N10的應用：

  • 電池保護

  • 負載開關(guan)

  • 不間斷電源
    

  
  

  
  

  100V場效應管 3N10的極限參數：

  (除非有特殊要求，T_C=25℃)

  符號	參數	數值	單位
  VDS	漏極-源極電壓	100	V
  VGS	柵極-源極電壓	±20
  ID	漏極電流-連續 TA=25℃	2.8	A
  	漏極電流-連續 TA=70℃	1
  IDM	漏極電流-脈衝	5
  PD	總耗散功率 TA=25℃	1	W
  EAS	單脈衝雪崩能量	722	mJ
  TSTG	存儲溫度	-55~150	℃
  TJ	工作結溫	-55~150
  RθJA	結到環境的熱阻	125	℃/W
  RθJC	結到管殼的熱阻	80

  
  

  
  

  100V場效應管 3N10的電特性：

  （如無特殊說明，T_J=25℃）

  符號	參數	MIN值	TYP值	MAX值	單位
  BVDSS	漏極-源極擊穿電壓	100			V
  RDS(ON)	靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=1A		260	310	mΩ
  	靜態漏源導通電阻 VGS=4.5V,ID=0.5A		270	320
  VGS(th)	柵極開啟電壓	1	1.5	2.5	V
  IDSS	零柵壓漏極電流 VDS=80V,VGS=0V,TJ=25℃			1	uA
  	零柵壓漏極電流 VDS=80V,VGS=0V,TJ=25℃			5
  IGSS	柵極漏電流			±100	nA
  gfs	正向跨導		2.4		S
  Qg	柵極總電荷		9.7	13.6	nC
  Qgs	柵源電荷密度		1.6	2.2
  Qgd	柵漏電荷密度		1.7	2.4
  Ciss	輸入電容		508	711	pF
  Coss	輸出電容		29	41
  Crss	反向傳輸電容		16.4	23
  td(on)	開啟延遲時間		1.6	3.2	ns
  tr	開啟上升時間		19	34
  td(off)	關斷延遲時間		13.6	27
  tf	開啟下降時間		19	38

  
  

  
  

  100V場效應管 3N10的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

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