可控矽整流的基本伏安特性？

• 來源：hth体育官网登录 更新時間：2020-12-18 17:44:38點擊：6次

• 
  

          (Silicon Controlled Rectifier) 簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體(ti) 積小、效率高、壽命長等優(you) 點。在自動控製係統中，可作為(wei) 大功率驅動器件，實現用小功率控件控製大功率設備。它在交直流電機調速係統、調功係統及隨動係統中得到了廣泛的應用。那麽(me) 可控矽整流的基本伏安特性？

  

          1、反向特性

  
  

          當控製極開路，陽極加上反向電壓時，J2結正偏，但J1、J2結反偏。此時隻能流過很小的反向飽和電流，當電壓進一步提高到J1結的雪崩擊穿電壓後，接差J3結也擊穿，電流迅速增加，圖3的特性開始彎曲，如特性OR段所示，彎曲處的電壓URO叫“反向轉折電壓”。此時，可控矽會(hui) 發生永久性反向。

  
  

          2、正向特性

  
  

          當控製極開路，陽極上加上正向電壓時，J1、J3結正偏，但J2結反偏，這與(yu) 普通PN結的反向特性相似，也隻能流過很小電流，這叫正向阻斷狀態，當電壓增加，圖3的特性發生了彎曲，如特性OA段所示，彎曲處的是UBO叫：正向轉折電壓。

  
  

          由於(yu) 電壓升高到J2結的雪崩擊穿電壓後，J2結發生雪崩倍增效應，在結區產(chan) 生大量的電子和空穴，電子時入N1區，空穴時入P2區。進入N1區的電子與(yu) 由P1區通過J1結注入N1區的空穴複合，同樣，進入P2區的空穴與(yu) 由N2區通過J3結注入P2區的電子複合，雪崩擊穿，進入N1區的電子與(yu) 進入P2區的空穴各自不能全部複合掉。

  
  

          這樣，在N1區就有電子積累，在P2區就有空穴積累，結果使P2區的電位升高，N1區的電位下降，J2結變成正偏，隻要電流稍增加，電壓便迅速下降，出現所謂負阻特性，見圖3的虛線AB段。

  
  

          這時J1、J2、J3三個(ge) 結均處於(yu) 正偏，可控矽便進入正向導電狀態---通態，此時，它的特性與(yu) 普通的PN結正向特性相似，可見的BC段。

  
  

  
  

  ---

  聲明：本網站原創內(nei) 容，如需轉載，請注明出處；本網站轉載的內(nei) 容（文章、圖片、視頻）等資料版權歸原網站所有。如我們(men) 采用了您不宜公開的文章或圖片，未能及時和您確認，避免給雙方造成不必要的經濟損失，請電郵聯係我們(men) ，以便迅速采取適當處理措施；郵箱：limeijun@transql.com