場效應管具體(ti) 有哪些特點?場效應晶體(ti) 管(Field Effect Transistor縮寫(xie) (FET))簡稱場效應管。主要有兩(liang) 種類型:結型場效應管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體(ti) 場效應管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數載流子參與(yu) 導電,也稱為(wei) 單極型晶體(ti) 管。與(yu) 雙極型晶體(ti) 管相比,場效應管具有如下特點。
(1)場效應管是電壓控製器件,它通過VGS(柵源電壓)來控製ID(漏極電流);
(2)場效應管的控製輸入端電流極小,因此它的輸入電阻(107~1012Ω)很大。
(3)它是利用多數載流子導電,因此它的溫度穩定性較好;
(4)它組成的放大電路的電壓放大係數要小於(yu) 三極管組成放大電路的電壓放大係數;
(5)場效應管的抗輻射能力強;
(6)由於(yu) 它不存在雜亂(luan) 運動的電子擴散引起的散粒噪聲,所以噪聲低。
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