1、達林頓芯片半導體(ti) 器件的場效應管是電壓控製元件,而晶體(ti) 管是電流控製元件。在隻允許從(cong) 信號源取較少電流的情況下,應選用場效應管;而在信號電壓較低,又允許從(cong) 信號源取較多電流的條件下,應選用晶體(ti) 管。
2、場效應管是利用多數載流子導電,而晶體(ti) 管是既利用多數載流子,也利用少數載流子導電,由於(yu) 少數載流子的濃度對溫度、輻射等外界條件很敏感,因此,對於(yu) 環境變化較大的場合,采用場效應管比較合適。
3、場效應管的源極和漏極是對稱的,可以互換使用,耗盡型MOS管的柵——源電壓可正可負,因此靈活性比晶體(ti) 管好。
4、場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的製造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊矽片上,因此場效應管在大規模集成電路中得到了廣泛的應用。
5、場效應管除了和晶體(ti) 管一樣可作為(wei) 放大器件及可控開關(guan) 外,還可作壓控可變線性電阻使用。
6、晶體(ti) 管導通電阻大,場效應管導通電阻小,隻有幾百mΩ,使用場效應管做電子開關(guan) 的效率比晶體(ti) 管高。
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