達林頓芯片的半導體器件場效應晶體管有哪幾種？

• 來源：hth体育官网登录 更新時間：2020-11-05 16:57:52點擊：6次

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          的半導體(ti) 器件場效應晶體(ti) 管有哪幾種？場效應晶體(ti) 管依靠一塊薄層半導體(ti) 受橫向電場影響而改變其電阻（簡稱場效應），使具有放大信號的功能。這薄層半導體(ti) 的兩(liang) 端接兩(liang) 個(ge) 電極稱為(wei) 源和漏。控製橫向電場的電極稱為(wei) 柵。根據柵的結構,場效應晶體(ti) 管可以分為(wei) 三種：

  

          1、結型場效應管(用PN結構成柵極)；

  
  

          2、MOS場效應管（用金屬-氧化物－半導體(ti) 構成柵極,見金屬－絕緣體(ti) －半導體(ti) 係統）；

  
  

          3、MES場效應管（用金屬與(yu) 半導體(ti) 接觸構成柵極）;其中MOS場效應管使用最廣泛。尤其在大規模集成電路的發展中,MOS大規模集成電路具有特殊的優(you) 越性。MES場效應管一般用在GaAs微波晶體(ti) 管上。

  
  

          在MOS器件的基礎上,又發展出一種電荷耦合器件 (CCD)，它是以半導體(ti) 表麵附近存儲(chu) 的電荷作為(wei) 信息，控製表麵附近的勢阱使電荷在表麵附近向某一方向轉移。這種器件通常可以用作延遲線和存儲(chu) 器等；配上光電二極管列陣，可用作攝像管。

  
  

  
  

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