1、一般做成螺栓形和平板形,有三個(ge) 電極,用矽半導體(ti) 材料製成的管芯由
PNPN四層組成
2、可控矽由關(guan) 斷轉為(wei) 導通必須同時具備兩(liang) 個(ge) 條件:
(1)受正向陽極電壓;
(2)受正向門極電壓。
3、可控矽導通後,當陽極電流小幹維持電流In時.可控矽關(guan) 斷。
4、可控矽的特性主要是:
(1)陽極伏安特性曲線;
(2)門極伏安特性區。
5、應在額定參數範圍內(nei) 使用可控矽。選擇可控矽主要參數:
(1)額定通態電流(IT)即最大穩定工作電流,俗稱電流。常用可控矽的IT一般為(wei) 一安到幾十安。
(2)反向重複峰值電壓(VRRM)或斷態重複峰值電壓(VDRM),俗稱耐壓。常用可控矽的VRRM/VDRM一般為(wei) 幾百伏到一千伏。
(3)控製極觸發電流(IGT),俗稱觸發電流。常用可控矽的IGT一般為(wei) 幾微安到幾十毫安。
(4)在規定環境溫度和散熱條件下,允許通過陰極和陽極的電流平均值。
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