存儲(chu) IC 24C32 存儲(chu) 芯片引腳功能 24C32 32K存儲(chu) 器
存儲(chu) IC 24C32的概述:
24C32是一個(ge) 是一個(ge) 電可擦除PROM,采用4096 X 8(32K bits)的組織結構以及兩(liang) 線串行接口。電壓可允許低至1.8V,待機電流和工作電流分別為(wei) 1μA和1mA。24C32具有頁寫(xie) 能力,每頁為(wei) 32字節。24C32具有8-pin DIP和8-pin SOP 兩(liang) 種封裝形式。
存儲(chu) IC 24C32的特點:
寬範圍的工作電壓:1.8~5.5V
低電壓技術
1mA典型工作電流
1μA典型待機電流
存儲(chu) 器組織結構:4096 X 8(32K bits)
2線串行接口,完全兼容I2C總線
I2C時鍾頻率為(wei) 1MHz(5V),400kHz(1.8V、2.5V、2.7V)
施密特觸發輸入噪聲抑製
硬件數據寫(xie) 保護
內(nei) 部寫(xie) 周期(最大5ms)
可按字節寫(xie)
頁寫(xie) :32字節頁
可按字節,隨機和序列讀
自動遞減地址
ESD保護大於(yu) 2.5kV
高可靠性
擦寫(xie) 壽命:100萬(wan) 次
數據保持時間:100年
封裝形式:DIP-8、SOP-8
無鉛工藝,符合 RoHS 標準
存儲(chu) IC 24C32的引腳圖:
存儲(chu) IC 24C32的引腳功能說明:
引腳號 | 引腳名稱 | 功能說明 |
1 | A0 | 地址輸入。A2、A1和A0是器件地址輸入引腳。 24C32使用A2、A1和A0輸入引腳作為(wei) 硬件地址,總線上可同時級聯8個(ge) 24C32器件(詳見器件尋址)。 |
2 | A1 | |
3 | A2 | |
5 | SDA | 串行地址和數據輸入/輸出。SDA是雙向串行數據傳輸引腳,漏極開路,需外接上拉電阻到Vcc(典型值10kΩ。) |
6 | SCL | 串行時鍾輸入。SCL同步數據傳輸,上升沿數據寫入,下降沿數據讀出。 |
7 | WP | 寫保護。WP引腳提供硬件數據保護。當WP接地時,允許數據正常讀寫操作;當WP接Vcc時,寫保護,隻讀。 |
4 | GND | 地 |
8 | VCC | 正電源 |
存儲(chu) IC 24C32的器件尋址:
起始條件使能芯片讀寫(xie) 操作後,EEPROM 都要求有8位的器件地址信息(見下圖)。
器件地址信息由“1”、“0”序列組成,前4位如圖中所示,對於(yu) 所有串行 EEPROM 都是一樣的。
對於(yu) 24C02/32/64,隨後3位A2、A1和A0為(wei) 器件地址位,必須與(yu) 硬件輸入引腳保持一致。
對於(yu) 24C04,隨後2位A2和A1為(wei) 器件地址位,另1位為(wei) 地址位。A2和A1必須與(yu) 硬件輸入引腳保持一致,而A0是空腳。
對於(yu) 24C08,隨後1位A2為(wei) 器件地址位,另2位為(wei) 頁地址位。A2必須與(yu) 硬件輸入引腳保持一致,而A1和A0是空腳。
對於(yu) 24C16,無器件地址位,3位都為(wei) 頁地址位,而A2、A1和A0是空腳。
器件地址信息的 LSB 為(wei) 讀/寫(xie) 操作選擇位,高為(wei) 讀操作,低為(wei) 寫(xie) 操作。
若比較器件地址一致,EEPROM 將輸出應答“0”,如果不一致,則返回到待機狀態。
存儲(chu) IC 24C32的應用領域:
智能儀(yi) 器儀(yi) 表
工業(ye) 控製
家用電器
計算機、筆記本電腦
汽車電子
通信設備
存儲(chu) IC 24C32的框圖:
存儲(chu) IC 24C32的存儲(chu) 結構:
器件 | 總容量(位) | 總頁數 | 字節/頁 | 字地址長度 |
24C02 | 2K | 32 | 8 | 8位 |
24C04 | 4K | 32 | 16 | 9位 |
24C08 | 8K | 64 | 16 | 10位 |
24C16 | 16K | 128 | 16 | 11位 |
24C32 | 32K | 128 | 32 | 12位 |
24C64 | 64K | 256 | 32 | 13位 |
存儲(chu) IC 24C32的典型應用圖:
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