半導體(ti) 器件是導電性介於(yu) 良導電體(ti) 與(yu) 絕緣體(ti) 之間，利用半導體(ti) 材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件，可用來產(chan) 生、控製、接收、變換、放大信 號和進行能量轉換。為(wei) 了與(yu) 集成電路相區別，有時也稱為(wei) 分立器件。絕大部分二端器件（即晶體(ti) 二極管）的基本結構是一個(ge) PN結。那麽(me) 達林頓芯片半導體(ti) 元器件製造工藝及缺陷？
1、芯片加工中的缺陷與(yu) 成品率預測
芯片製造缺陷的分類：
全局缺陷：光刻對準誤差、工藝參數隨機起伏、線寬變化等；在成熟、可控性良好的工藝線上，可減少到極少，甚至幾乎可以消除。
局域缺陷：氧化物針孔等點缺陷，不可完全消除，損失的成品率更高。
點缺陷：冗餘(yu) 物、丟(diu) 失物、氧化物針孔、結泄漏。
來源：灰塵微粒、矽片與(yu) 設備的接觸、化學試劑中的雜質顆粒。
2、混合集成電路的失效
混合集成電路工藝：
IC工藝：氧化、擴散、鍍膜、光刻等。
厚膜工藝：基板加工、製版、絲(si) 網印刷、燒結、激光調阻、分離元器件組裝等。
薄膜工藝：基板加工、製版、薄膜製備、光刻、電鍍等。
失效原因：
元器件失效：31%。
互連失效：23%。
引線鍵合失效、芯片粘結不良等沾汙失效：21%
關(guan) 於(yu) 混合集成電路：
按製作工藝，可將集成電路分為(wei) ：
（1）半導體(ti) 集成電路（基片：半導體(ti) ）
即：單片集成電路（固體(ti) 電路）
工藝：半導體(ti) 工藝（擴散、氧化、外延等）
（2）膜集成電路（基片：玻璃、陶瓷等絕緣體(ti) ）
工藝：
薄膜集成電路——真空蒸鍍、濺射、化學氣相沉積技術
厚膜集成電路——漿料噴塗在基片上、經燒結而成（絲(si) 網印刷技術）
3、混合集成電路（Hybrid Integrated Circuit）
特點：充分利用半導體(ti) 集成電路和膜集成電路各自的優(you) 點，達到優(you) 勢互補的目的；
工藝：用膜工藝製作無源元件，用半導體(ti) IC或晶體(ti) 管製作有源器件。
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