EMB14P03G SOP-8 P溝道場效應管 貼片MOS管

• 來源：hth体育官网登录 更新時間：2020-09-09 14:59:07點擊：6次

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  EMB14P03G SOP-8 P溝道場效應管 貼片MOS管

  
  

  
  

  貼片MOS管 EMB14P03G的引腳圖：

  

  
  

  
  

  貼片MOS管 EMB14P03G的極限值(除非有特殊要求，T_A=25℃)：

  • 漏極-源極電壓 BV_DSS：-30V

  • 柵極-源極電壓 V_GS：±25V

  • 漏極電流-連續(T_A=25℃) I_D：-12A

  • 漏極電流-連續(T_A=100℃) I_D：-9A

  • 漏極電流-脈衝(chong) I_DM：-48A

  • 雪崩電流 I_AS：-20A

  • 雪崩能量 E_AS：20mJ

  • 功耗(T_A=25℃) P_D：2.5W

  • 功耗(T_A=100℃) P_D：1W

  • 結溫和存儲(chu) 溫度 T_j,T_stg：-55~+150℃
    

  
  

  
  

  貼片MOS管 EMB14P03G的電特性(除非有特殊要求，T_C=25℃)：

  參數	符號	最小值	典型值	最大值	單位
  漏極-源極擊穿電壓	V(BR)DSS	-30			V
  柵極開啟電壓	VGS(th)	-1	-1.5	-3
  柵極漏電流 VDS=0V,VGS=±20V	IGSS			±100	nA
  柵極漏電流 VDS=0V,VGS=±25V				±500
  零柵壓漏極電流 VDS=-24V,VGS=0V	IDSS			-1	μA
  零柵壓漏極電流 VDS=-20V,VGS=0V,Tj=125℃				-10
  靜態漏源導通電阻 VGS=-10V,ID=-12A	RDS(ON)		12	14	mΩ
  靜態漏源導通電阻 VGS=-4.5V,ID=-9A			17	21
  正向跨導	gfs		28		S
  輸入電容	Ciss		2270		pF
  輸出電容	Coss		342
  反向傳(chuan) 輸電容	Crss		300
  柵源電荷密度	Qgs		4.9		nC
  柵漏電荷密度	Qgd		7.5
  開啟延遲時間	td(on)		20		nS
  開啟上升時間	tr		12
  關(guan) 斷延遲時間	td(off)		55
  開啟下降時間	tf		15

  
  

  
  

  貼片MOS管 EMB14P03G的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

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