EMD04N08E TO-220 N溝道MOS管 傑力場效應管
N溝道MOS管 EMD04N08E的引腳圖:
N溝道MOS管 EMD04N08E的極限值(除非有特殊要求,TA=25℃):
漏極-源極電壓 BVDSS:80V
柵極-源極電壓 VGS:±30V
漏極電流-連續 (TC=25℃) ID:160A
漏極電流-連續 (TC=100℃) ID:126A
漏極電流-脈衝(chong) IDM:540A
雪崩電流 IAS:90A
雪崩能量 EAS:405mJ
重複雪崩能量 EAR:202mJ
功耗 (TC=25℃) PD:250W
功耗 (TC=100℃) PD:100W
結溫和存儲(chu) 溫度 Tj,Tstg:-55~150℃
N溝道MOS管 EMD04N08E的電特性(除非有特殊要求,TJ=25℃):
參數 | 符號 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
漏極-源極擊穿電壓 | V(BR)DSS | 80 | V | ||
柵極開啟電壓 | VGS(th) | 2 | 3 | 4 | |
柵極漏電流 VDS=0V,VGS=±30V | IGSS | ±100 | nA | ||
零柵壓漏極電流 VDS=64V,VGS=0V | IDSS | 1 | μA | ||
零柵壓漏極電流 VDS=60V,VGS=0V,Tj=125℃ | 25 | ||||
靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=50A | RDS(ON) | 4.1 | 4.6 | mΩ | |
正向跨導 | gfs | 60 | S | ||
輸入電容 | Ciss | 5548 | pF | ||
輸出電容 | Coss | 557 | |||
反向傳輸電容 | Crss | 29 | |||
柵源電荷密度 | Qgs | 38 | nC | ||
柵漏電荷密度 | Qgd | 8.5 | |||
開啟延遲時間 | td(on) | 80 | nS | ||
開啟上升時間 | tr | 150 | |||
關斷延遲時間 | td(off) | 100 | |||
開啟下降時間 | tf | 170 |
N溝道MOS管 EMD04N08E的封裝外形尺寸:
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