國產MOS管4606 場效應管 4606 N+P溝道MOSFET

• 來源：hth体育官网登录 更新時間：2020-09-04 16:53:08點擊：6次

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  國產(chan) MOS管4606 場效應管 4606 N+P溝道MOSFET

  
  

  
  

  國產(chan) MOS管 4606的描述與(yu) 應用：

          4606是30V N+P溝道互補增強模式場效應管，封裝形式為(wei) SOP-8，用於(yu) 高功率DC/DC轉換和功率開關(guan) ，適用於(yu) 作負載開關(guan) 或脈寬調製應用。

  
  

  
  

  國產(chan) MOS管 4606的內(nei) 部等效電路圖：

  

  
  

  
  

  國產(chan) MOS管 4606的引腳排列：

  

  
  

  
  

  國產(chan) MOS管 4606的極限值：

  參數	符號	數值		單位
  		N溝道	P溝道
  漏極-源極電壓	VDSS	±30		V
  柵極-源極電壓	VGSS	±20
  漏極電流-連續 TA=25℃	ID	6.9	-6	A
  漏極電流-連續 TA=70℃		5.8	-5
  漏極電流-脈衝(chong)	IDM	±30
  總耗散功率 TA=25℃	PD	2		W
  總耗散功率 TA=70℃		1.44
  結溫和存儲溫度	TJ,TSTG	-55~+150		℃

  
  

  
  

  國產(chan) MOS管 4606的電特性(N溝道)：

  參數	符號	最小值	典型值	最大值	單位
  漏極-源極擊穿電壓	BVDSS	30			V
  零柵壓漏極電流 VDS=24V,VGS=0V	IDSS			1	μA
  零柵壓漏極電流 VDS=24V,VGS=0V,TJ=55℃				5
  柵極漏電流	IGSS			100	nA
  柵極開啟電壓	VGS(th)	1	1.9	3	V
  靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=6.9A	RDS(ON)		22.5	28	mΩ
  靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=6.9A,TJ=125℃			31.3	38
  靜態漏源導通電阻 VGS=4.5V,ID=5A			34.5	42
  正向跨導	gfs	10	15.4		S
  輸入電容	Ciss		680		pF
  輸出電容	Coss		102
  反向傳輸電容	Crss		77
  柵源電荷密度	Qgs		1.82		nC
  柵漏電荷密度	Qgd		3.2
  開啟延遲時間	td(on)		4.6		ns
  開啟上升時間	tr		4.1
  關斷延遲時間	td(off)		20.6
  開啟下降時間	tf		5.2

  
  

  
  

  國產(chan) MOS管 4606的電特性(P溝道)：

  參數	符號	最小值	典型值	最大值	單位
  漏極-源極擊穿電壓	BVDSS	-30			V
  零柵壓漏極電流 VDS=-24V,VGS=0V	IDSS			-1	μA
  零柵壓漏極電流 VDS=-24V,VGS=0V,TJ=55℃				-5
  柵極漏電流	IGSS			±100	nA
  柵極開啟電壓	VGS(th)	-1.2	-2	-2.4	V
  靜態漏源導通電阻 VGS=-10V,ID=-6A	RDS(ON)		28	35	mΩ
  靜態漏源導通電阻 VGS=-10V,ID=-6A,TJ=125℃			37	45
  靜態漏源導通電阻 VGS=-4.5V,ID=-5A			44	58
  正向跨導	gfs		13		S
  輸入電容	Ciss		920		pF
  輸出電容	Coss		190
  反向傳輸電容	Crss		122
  柵源電荷密度	Qgs		2.7		nC
  柵漏電荷密度	Qgd		4.5
  開啟延遲時間	td(on)		7.7		ns
  開啟上升時間	tr		5.7
  關斷延遲時間	td(off)		20.2
  開啟下降時間	tf		9.5

  
  

  
  

  國產(chan) MOS管 4606的回流焊溫度曲線圖(無鉛)：

  

  
  

  說明：

  1、預熱溫度 25~150℃，時間60~90sec

  2、峰值溫度 245±5℃，時間5±0.5sec

  3、焊接製程冷卻速度為(wei) 2~10℃/sec

  
  

  
  

  國產(chan) MOS管 4606的耐焊接熱試驗條件：

  • 溫度：260±5℃

  • 時間：10±1 sec
    

  
  

  
  

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