可控矽是P1N1P2N2四層三端結構元件，共有三個PN結，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成，其等效圖解.
可控矽是一種以矽單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件，創製於1957年，由於它特性類似於真空閘流管，所以國際上通稱為矽晶體閘流管，簡稱晶閘管(Thyristor)。又由於晶閘管最初應用於可控整流方麵所以又稱為矽可控整流元件，簡稱為可控矽SCR。可控矽是一種大功率半導體器件，它能控製較大的電流和功率，用來進行電機調速、電鍍、電解、充電、勵磁、恒溫、調壓、穩壓、無觸點開關、變頻等作用。
當陽極A加上正向電壓時，BG1和BG2管均處於放大狀態。此時，如果從控製極G輸入一個正向觸發信號，BG2便有基流ib2流過，經BG2放大，其集電極電流ic2=β2ib2。因為BG2的集電極直接與BG1的基極相連，所以ib1=ic2。此時，電流ic2再經BG1放大，於是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個電流又流回到BG2的基極，表成正反饋，使ib2不斷增大，如此正向饋循環的結果，兩個管子的電流劇增，可控矽使飽和導通。
（1）反向特性
當控製極開路，陽極加上反向電壓時（見圖3），J2結正偏，但J1、J2結反偏。此時隻能流過很小的反向飽和電流，當電壓進一步提高到J1結的雪崩擊穿電壓後，接差J3結也擊穿，電流迅速增加，圖3的特性開始彎曲，如特性OR段所示，彎曲處的電壓URO叫“反向轉折電壓”。此時，可控矽會發生永久性反向.
由於BG1和BG2所構成的正反饋作用，所以一旦可控矽導通後，即使控製極G的電流消失了，可控矽仍然能夠維持導通狀態，由於觸發信號隻起觸發作用，沒有關斷功能，所以這種可控矽是不可關斷的。
可控矽的基本伏安特性.
（2）正向特性
當控製極開路，陽極上加上正向電壓時（見圖4），J1、J3結正偏，但J2結反偏，這與普通PN結的反向特性相似，也隻能流過很小電流，這叫正向阻斷狀態，當電壓增加，圖3的特性發生了彎曲，如特性OA段所示，彎曲處的是UBO叫：正向轉折電壓
由於電壓升高到J2結的雪崩擊穿電壓後，J2結發生雪崩倍增效應，在結區產生大量的電子和空穴，電子時入N1區，空穴時入P2區。進入N1區的電子與由P1區通過J1結注入N1區的空穴複合，同樣，進入P2區的空穴與由N2區通過J3結注入P2區的電子複合，雪崩擊穿，進入N1區的電子與進入P2區的空穴各自不能全部複合掉，這樣，在N1區就有電子積累，在P2區就有空穴積累，結果使P2區的電位升高，N1區的電位下降，J2結變成正偏，隻要電流稍增加，電壓便迅速下降，出現所謂負阻特性，見圖3的虛線AB段。
3、觸發導通
在控製極G上加入正向電壓時因J3正偏，P2區的空穴時入N2區，N2區的電子進入P2區，形成觸發電流IGT。在可控矽的內部正反饋作用的基礎上，加上IGT的作用，使可控矽提前導通，導致圖3的伏安特性OA段左移，IGT越大，特性左移越快。
這時J1、J2、J3三個結均處於正偏，可控矽便進入正向導電狀態---通態，此時，它的特性與普通的PN結正向特性相似，見圖2中的BC段
要使晶閘管導通，一是在它的陽極A與陰極K之間外加正向電壓，二是在它的控製極G與陰極K之間輸入一個正向觸發電壓。晶閘管導通後，鬆開按鈕開關，去掉觸發電壓，仍然維持導通狀態。
华体会竞猜app有陽極A、陰極K、控製極G三個(ge) 引出腳。可控矽的優(you) 點很多，例如：以小功率控製大功率，功率放大倍數高達幾十萬(wan) 倍；反應極快，在微秒級內(nei) 開通、關(guan) 斷；無觸點運行，無火花、無噪音；效率高，成本低等。可控矽的弱點：靜態及動態的過載能力較差；容易受幹擾而誤導通。可控矽從(cong) 外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形。
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