可控矽電路詳解

• 來源：hth体育官网登录 更新時間：2020-08-12 11:04:08點擊：6次

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  可控矽電路詳解

  
  

  
  

          可控矽(Silicon Controlled Rectifier) 簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體(ti) 積小、效率高、壽命長等優(you) 點。

          可控矽分华体会竞猜app和华体会体育沃尔夫斯堡兩(liang) 種。华体会体育沃尔夫斯堡也叫三端华体会体育沃尔夫斯堡，簡稱TRIAC。华体会体育沃尔夫斯堡在結構上相當於(yu) 兩(liang) 個(ge) 华体会竞猜app反向連接，這種可控矽具有雙向導通功能。其通斷狀態由控製極G決(jue) 定。在控製極G上加正脈衝(chong) (或負脈衝(chong) )可使其正向(或反向)導通。這種裝置的優(you) 點是控製電路簡單，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點開關(guan) 使用。

   

  
  

  一、华体会竞猜app的觸發電路圖

  

          此電路為(wei) 簡易型，電路非常穩定，可供參考。

  
  

  
  

  二、华体会体育沃尔夫斯堡的觸發電路圖

  
  

          如下圖所示，當電網電壓小於(yu) 220V時，华体会体育沃尔夫斯堡SCR2控製極上的電壓也隨電網電壓減小而降低，致使VD2導通角小，C1端電壓上升，從(cong) 而使华体会体育沃尔夫斯堡SCRl控製極電壓升高，使輸出電壓上升。反之，輸出電壓下降，達到穩壓。

  
  

  
  

          可控矽的觸發電路非常多，需根據具體(ti) 需求選擇。上述隻是其中一種。供大家參考。

   

  
  

  三、可控矽的結構

  
  

          大家使用的是單向晶閘管，也就是人們(men) 常說的普通晶閘管，它是由四層半導體(ti) 材料組成的，有三個(ge) PN結，對外有三個(ge) 電極〔圖2(a）〕：第一層P型半導體(ti) 引出的電極叫陽極A，第三層P型半導體(ti) 引出的電極叫控製極G，第四層N型半導體(ti) 引出的電極叫陰極K。從(cong) 晶閘管的電路符號〔圖2(b）〕可以看到，它和二極管一樣是一種單方向導電的器件，關(guan) 鍵是多了一個(ge) 控製極G，這就使它具有與(yu) 二極管完全不同的工作特性。

  
  

          以矽單晶為(wei) 基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始於(yu) 1957年，因為(wei) 它的特性類似於(yu) 真空閘流管，所以國際上通稱為(wei) 矽晶體(ti) 閘流管，簡稱晶閘管T，又因為(wei) 晶閘管最初的在靜止整流方麵，所以又被稱之為(wei) 矽可控整流元件，簡稱為(wei) 可控矽SCR。

  
  

          在性能上，可控矽不僅(jin) 具有單向導電性，而且還具有比矽整流元件（俗稱"死矽")更為(wei) 可貴的可控性。它隻有導通和關(guan) 斷兩(liang) 種狀態。

  
  

          可控矽能以毫安級電流控製大功率的機電設備，如果超過此功率，因元件開關(guan) 損耗顯著增加，允許通過的平均電流相降低，此時，標稱電流應降級使用。

  
  

          可控矽的優(you) 點很多，例如：以小功率控製大功率，功率放大倍數高達幾十萬(wan) 倍；反應極快，在微秒級內(nei) 開通、關(guan) 斷；無觸點運行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等。

  
  

          可控矽的弱點：靜態及動態的過載能力較差；容易受幹擾而誤導通。

  
  

          可控矽從(cong) 外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形。

  
  

          可控矽元件的結構

  
  

          不管可控矽的外形如何，它們(men) 的管芯都是由P型矽和N型矽組成的四層P1N1P2N2結構。見圖1。它有三個(ge) PN結（J1、J2、J3），從(cong) J1結構的P1層引出陽極A，從(cong) N2層引出陰級K，從(cong) P2層引出控製極G，所以它是一種四層三端的半導體(ti) 器件。

  
  

  

  
  

  
  

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