80VN溝道場效應管 GMP75N80L TO-220 中低壓MOS管
中低壓MOS管 GMP75N80L的特點:
低柵電荷密度
超低導通電阻
優(you) 秀溝槽技術
快速開關(guan) 能力
高工作溫度範圍
中低壓MOS管 GMP75N80L的應用:
高效率同步整流
DC-DC 變換和不間斷電源
脈寬調製電機控製
中低壓MOS管 GMP75N80L的內(nei) 部結構圖:
中低壓MOS管 GMP75N80L的極限值:
參數 | 符號 | 數值 | 單位 |
漏極-源極電壓 | BVDSS | 80 | V |
柵極-源極電壓 | VGS | ±25 | |
漏極電流-連續 TC=25℃ | ID | 75 | A |
漏極電流-連續 TC=100℃ | 56 | ||
漏極電流-脈衝 | IDM | 310 | |
總耗散功率 TC=25℃ | PTOT | 140 | W |
雪崩能量 | EAS | 120 | mJ |
熱阻 | RθJC | 1 | ℃/W |
結溫/儲存溫度 | TJ,Tstg | -55~175 | ℃ |
中低壓MOS管 GMP75N80L的電特性:
如無特殊說明,溫度為(wei) 25℃
參數 | 符號 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
漏源-源極擊穿電壓 | BVDSS | 80 | V | ||
柵極開啟電壓 | VGS(th) | 2 | 2.7 | 4 | |
零柵壓漏極電流 | IDSS | 1 | uA | ||
柵極漏電流 | IGSS | ±100 | nA | ||
靜態漏源導通電阻 | RDS(ON) | 7.5 | 9 | mΩ | |
正向傳輸導納 | gFS | 20 | S | ||
源極-漏極電流 | ISD | 75 | A | ||
內附二極管正向壓降 | VSD | 1.3 | V | ||
柵極電阻 | Rg | 1.5 | Ω | ||
輸入電容 | CISS | 2980 | pF | ||
共源輸出電容 | COSS | 280 | |||
柵極電荷密度 | Qg | 56 | nC | ||
柵源電荷密度 | Qgs | 13 | |||
柵漏電荷密度 | Qgd | 16 | |||
開啟延遲時間 | td(on) | 16 | ns | ||
關斷延遲時間 | td(off) | 43 |
中低壓MOS管 GMP75N80L的封裝外形尺寸:
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