可控矽的主要參數與符號說明

• 來源：hth体育官网登录 更新時間：2020-04-01 10:30:10點擊：6次

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  可控矽的主要參數與(yu) 符號說明

  
  

  
  

          可控矽(Silicon Controlled Rectifier) 簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。可控矽又可分為(wei) 华体会竞猜app和华体会体育沃尔夫斯堡兩(liang) 種。华体会体育沃尔夫斯堡也叫三端华体会体育沃尔夫斯堡，簡稱TRIAC。华体会体育沃尔夫斯堡在結構上相當於(yu) 兩(liang) 個(ge) 华体会竞猜app反向連接，這種可控矽具有雙向導通功能。其通斷狀態由控製極G決(jue) 定。在控製極G上加正脈衝(chong) (或負脈衝(chong) )可使其正向(或反向)導通。這種裝置的優(you) 點是控製電路簡單，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點開關(guan) 使用。

   

  
  

  一、可控矽的主要參數

          ⒈ 額定通態電流（IT）即最大穩定工作電流，俗稱電流。常用可控矽的IT一般為(wei) 一安到幾十安。

          ⒉反向重複峰值電壓（VRRM）或斷態重複峰值電壓（VDRM），俗稱耐壓。常用可控矽的VRRM/VDRM一般為(wei) 幾百伏到一千伏。

          ⒊ 控製極觸發電流（IGT），俗稱觸發電流。常用可控矽的IGT一般為(wei) 幾微安到幾十毫安。

          4. 在規定環境溫度和散熱條件下，允許通過陰極和陽極的電流平均值。

   

  
  

  二、可控矽的符號說明

  以下是可控矽的電流電壓等參數：

  • IT(AV)--通態平均電流

  • IDRM--斷態重複峰值電流

  • ITSM--通態不重複浪湧電流

  • VTM--導通壓降

  • IGT--門極觸發電流

  • VGT--門極觸發電壓

  • IH--維持電流

  • dv/dt--斷態電壓臨(lin) 界上升率

  • di/dt--通態電流臨(lin) 界上升率

  • Rthjc--結到管殼的熱阻

  • VISO--模塊絕緣電壓

  • Tj--結溫

  • VDRM--通態重複峰值電壓

  • IRRM--反向重複峰值電流

  • IF(AV)--正向平均電流
    

  
  

  
  

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