晶體(ti) 管和晶閘管的區別，單結晶體(ti) 管和晶閘管的識別檢測
本文來源：電子發燒友
晶體(ti) 管（transistor）是一種固體(ti) 半導體(ti) 器件，可以用於(yu) 檢波、整流、放大、開關(guan) 、穩壓、信號調製和許多其它功能。晶體(ti) 管作為(wei) 一種可變開關(guan) ，基於(yu) 輸入的電壓，控製流出的電流，因此晶體(ti) 管可做為(wei) 電流的開關(guan) ，和一般機械開關(guan) （如Relay、switch）不同處在於(yu) 晶體(ti) 管是利用電訊號來控製，而且開關(guan) 速度可以非常之快，在實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
一般晶體(ti) 管所指晶體(ti) 管即半導體(ti) 三極管，是內(nei) 部含有兩(liang) 個(ge) PN結，外部通常為(wei) 三個(ge) 引出電極的半導體(ti) 器件。它對電信號有放大和開關(guan) 等作用，應用十分廣泛。輸入級和輸出級都采用晶體(ti) 管的邏輯電路，叫做晶體(ti) 管－晶體(ti) 管邏輯電路，書(shu) 刊和實用中都簡稱為(wei) TTL電路，它屬於(yu) 半導體(ti) 集成電路的一種，其中用得最普遍的是TTL與(yu) 非門。TTL與(yu) 非門是將若幹個(ge) 晶體(ti) 管和電阻元件組成的電路係統集中製造在一塊很小的矽片上，封裝成一個(ge) 獨立的元件。半導體(ti) 三極管是電路中應用最廣泛的器件之一，在電路中用“V”或“VT”（舊文字符號為(wei) “Q”、“GB”等）表示。
晶閘管（Thyristor）是晶體(ti) 閘流管的簡稱，又可稱做可控矽整流器，以前被簡稱為(wei) 可控矽；晶閘管是PNPN四層半導體(ti) 結構，它有三個(ge) 極：陽極，陰極和門極；晶閘管工作條件為(wei) ：加正向電壓且門極有觸發電流；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導晶閘管，光控晶閘管等。它是一種大功率開關(guan) 型半導體(ti) 器件，在電路中用文字符號為(wei) “V”、“VT”表示（舊標準中用字母“SCR”表示）。
晶閘管具有矽整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過程可以控製、被廣泛應用於(yu) 可控整流、交流調壓、無觸點電子開關(guan) 、逆變及變頻等電子電路中。
晶體(ti) 管與(yu) 晶閘管的區別
（1）晶體(ti) 管（transistor）是一種固體(ti) 半導體(ti) 器件，具有檢波、整流、放大、開關(guan) 、穩壓、信號調製等多種功能。晶體(ti) 管作為(wei) 一種可變電流開關(guan) ，能夠基於(yu) 輸入電壓控製輸出電流。與(yu) 普通機械開關(guan) （如Relay、switch）不同，晶體(ti) 管利用電訊號來控製自身的開合，而且開關(guan) 速度可以非常快，實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
（2）晶閘管又叫可控矽，有陽極、陰極和控製極，其內(nei) 有四層PNPN半導體(ti) ，三個(ge) PN結。控製極不加電壓時，陽極（+）、陰極（-）間加正向電壓不導通，陰極（+）、陽極（-）間加反向電壓也不導通，分別稱為(wei) 正向阻斷和反向阻斷。陽極（+）、陰極（-）加正向電壓，控製極（+）、陰極（-）加一電壓觸發，可控矽導導通，此時控製極去除觸發電壓，可控矽仍導通，稱為(wei) 觸發導通。要想關(guan) 斷（不導通），隻要電流小於(yu) 維持電流就行了，去除正向電壓也能關(guan) 斷。
單結晶體(ti) 管和晶閘管的識別檢測
［1］ 單結管即單結晶體(ti) 管，又稱為(wei) 雙基極二極管，是一種具有一個(ge) PN結和兩(liang) 個(ge) 歐姆電極的負阻半導體(ti) 器件。常見的有陶瓷封裝和金屬殼封裝的單結晶體(ti) 管。
［2］ 單結晶體(ti) 管可分為(wei) N型基極單結管和P型基極單結管兩(liang) 大類。單結晶體(ti) 管的文字符號為(wei) “VT”，圖形符號如圖所示。
［3］ 單結晶體(ti) 管的主要參數有：① 分壓比η，指單結晶體(ti) 管發射極E至第一基極B1間的電壓（不包括PN結管壓降）在兩(liang) 基極間電壓中所占的比例。② 峰點電壓UP，是指單結晶體(ti) 管剛開始導通時的發射極E與(yu) 第一基極B1的電壓，其所對應的發射極電流叫做峰點電流IP。③ 穀點電壓UV，是指單結晶體(ti) 管由負阻區開始進入飽和區時的發射極E與(yu) 第一基極B1間的電壓，其所對應的發射極電流叫做穀點電流IV。
［4］ 單結晶體(ti) 管共有三個(ge) 管腳，分別是：發射極E、第一基極B1和第二基極B2。圖示為(wei) 兩(liang) 種典型單結晶體(ti) 管的管腳電極。
［5］ 單結晶體(ti) 管最重要的特性是具有負阻性，其基本工作原理如圖示（以N基極單結管為(wei) 例）。當發射極電壓UE大於(yu) 峰點電壓UP時，PN結處於(yu) 正向偏置，單結管導通。隨著發射極電流IE的增加，大量空穴從(cong) 發射極注入矽晶體(ti) ，導致發射極與(yu) 第一基極間的電阻急劇減小，其間的電位也就減小，呈現出負阻特性。
［6］ 檢測單結晶體(ti) 管時，萬(wan) 用表置於(yu) “R&TImes;1k”擋，檢測兩(liang) 基極間電阻：兩(liang) 表筆（不分正、負）接單結晶體(ti) 管除發射極E以外的兩(liang) 個(ge) 管腳，讀數應為(wei) 3～10kΩ。
［7］ 檢測PN結正向電阻（N基極管為(wei) 例，下同）：黑表筆接發射極E，紅表筆分別接兩(liang) 個(ge) 基極，讀數均應為(wei) 數千歐。對調兩(liang) 表筆後檢測PN結反向電阻，讀數均應為(wei) 無窮大。如果測量結果與(yu) 上述不符，說明被測單結管已損壞。
［8］ 測量單結晶體(ti) 管的分壓比η：按圖示搭接一個(ge) 測量電路，用萬(wan) 用表“直流10V”擋測出C2上的電壓UC2，再按公式η=UC2/UB計算即可。
［9］ 單結晶體(ti) 管的基本應用是組成脈衝(chong) 產(chan) 生電路，包括振蕩器、波形發生器等，並可使電路結構大為(wei) 簡化。圖示為(wei) 單結晶體(ti) 管弛張振蕩器。單結管VT的發射極輸出鋸齒波，第一基極輸出窄脈衝(chong) ，第二基極輸出方波。RE與(yu) C組成充放電回路，改變RE或C即可改變振蕩周期。該電路振蕩周期T≈REC ln［1/（1-η）］，式中，ln為(wei) 自然對數，即以e（2.718）為(wei) 底的對數。
［10］ 單結晶體(ti) 管還可以用作晶閘管觸發電路。圖示為(wei) 調光台燈電路。在交流電的每半周內(nei) ，晶閘管VS由單結管VT輸出的窄脈衝(chong) 觸發導通，調節RP便改變了VT輸出窄脈衝(chong) 的時間，即改變了VS的導通角，從(cong) 而改變了流過燈泡EL的電流，實現了調光的目的。
［11］ 晶體(ti) 閘流管簡稱為(wei) 晶閘管，也叫做可控矽，是一種具有三個(ge) PN結的功率型半導體(ti) 器件。常見的晶閘管有塑封式、陶瓷封裝式、金屬殼封裝式和大功率螺栓式等形狀。晶體(ti) 閘流管可分為(wei) ：單向晶閘管、雙向晶閘管、可關(guan) 斷晶閘管等多種。
［12］ 晶體(ti) 閘流管的文字符號為(wei) “VS”，圖形符號如圖示。晶閘管的主要參數有：額定通態平均電流、正反向阻斷峰值電壓、維持電流、控製極觸發電壓和電流等。使用時應注意不能超過其極限參數指標，並留有一定餘(yu) 量，以免造成器件損壞。
［13］ 晶閘管具有三個(ge) 電極。單向晶閘管的三個(ge) 電極是：陽極A、陰極K、控製極G。雙向晶閘管的三個(ge) 電極是：兩(liang) 個(ge) 主電極T1、T2以及控製極G。使用中應注意識別。
［14］ 晶閘管具有可控的單向導電性，即不但具有一般二極管單向導電的整流作用，而且可以對導通電流進行控製。單向晶閘管是PNPN四層結構，形成三個(ge) PN結，具有三個(ge) 外電極A、K和G，可等效為(wei) PNP、NPN兩(liang) 晶體(ti) 管組成的複合管，見圖14左邊。在A、K間加上正向電壓後，管子並不導通。此時在控製極G加上正電壓時，VT1、VT2相繼迅速導通，此時即使去掉控製極電壓，管子仍維持導通狀態。雙向晶閘管可以等效為(wei) 兩(liang) 個(ge) 單向晶閘管反向並聯，見圖14右邊，雙向晶閘管可以控製雙向導通，因此除控製極G外的另兩(liang) 個(ge) 電極不再分陽極陰極，而稱之為(wei) 主電極T1、T2。
［15］ 檢測單向晶閘管：萬(wan) 用表置於(yu) “R&TImes;10Ω”擋，黑表筆接控製極G，紅表筆接陰極K，測量其正向電阻，應有較小的阻值。對調兩(liang) 表筆測其反向電阻，應比正向電阻明顯大一些。測量控製極G與(yu) 陽極A之間的正、反向電阻，均應為(wei) 無窮大。這是因為(wei) G、A間為(wei) 兩(liang) 個(ge) PN結反向串聯，不論正、反向均不應導通，否則晶閘管已壞。
［16］ 檢測雙向晶閘管：萬(wan) 用表置於(yu) “R&TImes;1Ω”擋，兩(liang) 表筆測量控製極G與(yu) 主電極T1間的正、反向電阻，均應為(wei) 較小阻值。測量控製極G與(yu) 主電極T2間的正、反向電阻，均應為(wei) 無窮大。
［17］ 檢測單向晶閘管導通特性：萬(wan) 用表置於(yu) “R&TImes;1Ω”擋，黑表筆接陽極A，紅表筆接陰極K，表針指示應為(wei) 無窮大。用螺絲(si) 刀等金屬物將控製極G與(yu) 陽極A短接一下（短接後即斷開），表針應向右偏轉並保持在十幾歐姆處。檢測雙向晶閘管導通特性：黑表筆接主電極T1，紅表筆接主電極T2，表針指示應為(wei) 無窮大。將控製極G與(yu) 主電極T2短接一下，表針應向右偏轉並保持在十幾歐姆處。如不符合上述情況則說明晶閘管已損壞。
［18］ 晶閘管具有以小電流（電壓）控製大電流（電壓）的作用，並具有體(ti) 積小、重量輕、功耗低、效率高、開關(guan) 速度快等優(you) 點，在無觸點開關(guan) 、可控整流、逆變、調光、調壓、調速等方麵得到廣泛的應用。圖示為(wei) 晶閘管無觸點開關(guan) 控製的報警器電路，當探頭檢測到異常情況時，輸出一正脈衝(chong) 至控製極G，晶閘管VS導通使報警器報警，直至有關(guan) 人員到場並切斷開關(guan) S才停止報警。
［19］ 雙向晶閘管可以用作交流調壓器。圖示電路中，RP、R和C組成充放電回路，C上電壓作為(wei) 雙向晶閘管VS的觸發電壓。調節RP可改變C的充電時間，也就改變了VS的導通角，達到交流調壓的目的。
［20］ 普通晶閘管導通後控製極即不起作用，要關(guan) 斷必須切斷電源，使流過晶閘管的正向電流小於(yu) 維持電流。可關(guan) 斷晶閘管克服了上述缺陷，當控製極G加上正脈衝(chong) 電壓時晶閘管導通，當控製極G加上負脈衝(chong) 電壓時晶閘管關(guan) 斷。
聲明：本網站原創內(nei) 容，如需轉載，請注明出處；本網站轉載的內(nei) 容（文章、圖片、視頻）等資料版權歸原網站所有。如我們(men) 采用了您不宜公開的文章或圖片，未能及時和您確認，避免給雙方造成不必要的經濟損失，請電郵聯係我們(men) ，以便迅速采取適當處理措施；郵箱：limeijun@transql.com
網站首頁可控矽集成電路MOS管產(chan) 品中心生產(chan) 實力技術支持新聞資訊關(guan) 於(yu) 宇芯聯係我們(men)
掃二維碼進入手機網站 
掃二維碼進入微信 
