什麽(me) 是P溝道MOS管?與(yu) NMOS有什麽(me) 區別?
一、p溝道mos管的定義(yi) 概述
PMOS是指n型襯底、p溝道,靠空穴的流動運送電流的MOS管。
P溝道MOS晶體(ti) 管的空穴遷移率低,因而在MOS晶體(ti) 管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下,PMOS晶體(ti) 管的跨導小於(yu) N溝道MOS晶體(ti) 管。此外,P溝道MOS晶體(ti) 管閾值電壓的絕對值一般偏高,要求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性,與(yu) 雙極型晶體(ti) 管——晶體(ti) 管邏輯電路不兼容。PMOS因邏輯擺幅大,充電放電過程長,加之器件跨導小,所以工作速度更低,在NMOS電路(見N溝道金屬—氧化物—半導體(ti) 集成電路)出現之後,多數已為(wei) NMOS電路所取代。隻是,因PMOS電路工藝簡單,價(jia) 格便宜,有些中規模和小規模數字控製電路仍采用PMOS電路技術。
二、p溝道mos管與(yu) nmos管的區別
在實際項目中,我們(men) 基本都用增強型
mos管,分為(wei) N溝道和P溝道兩(liang) 種。我們(men) 常用的是NMOS,因為(wei) 其導通電阻小,且容易製造。在MOS管原理圖上可以看到,漏極和源極之間有一個(ge) 寄生二極管。這個(ge) 叫體(ti) 二極管,在驅動感性負載(如馬達),這個(ge) 二極管很重要。順便說一句,體(ti) 二極管隻在單個(ge) 的MOS管中存在,在集成電路芯片內(nei) 部通常是沒有的。
三、mos管驅動
跟雙極性晶體(ti) 管相比,一般認為(wei) 使MOS管導通不需要電流,隻要GS電壓高於(yu) 一定的值,就可以了。這個(ge) 很容易做到,但是,我們(men) 還需要速度。 在MOS管的結構中可以看到,在GS,GD之間存在寄生電容,而MOS管的驅動,實際上就是對電容的充放電。對電容的充電需要一個(ge) 電流,因為(wei) 對電容充電瞬間可以把電容看成短路,所以瞬間電流會(hui) 比較大。選擇/設計MOS管驅動時第一要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。
第二注意的是,普遍用於(yu) 高端驅動的NMOS,導通時需要是柵極電壓大於(yu) 源極電壓。而高端驅動的MOS管導通時源極電壓與(yu) 漏極電壓(VCC)相同,所以這時柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個(ge) 係統裏,要得到比VCC大的電壓,就要專(zhuan) 門的升壓電路了。很多馬達驅動器都集成了電荷泵,要注意的是應該選擇合適的外接電容,以得到足夠的短路電流去驅動MOS管。
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